Nan dènye ane yo, endistri ekipman pou pouvwa kondwi dirije te karakterize pa avansman rapid teknolojik ak ogmante demann pou solisyon ekonomize enèji. Avèk pouse mondyal la pou dirab, adopsyon sou mache a nan sistèm ekleraj dirije te ogmante anpil, ki an vire te ankouraje kwasans nan endistri a pouvwa dirije.
Jije soti nan dinamik mache a, endistri a ap temwen tandans nan chofè ki ap dirije entegre fonksyon entelijan ak pwogramasyon pou satisfè demann lan k ap grandi pou solisyon ekleraj entelijan. Aparisyon IoT (Entènèt bagay sa yo) ak AI (Entèlijans atifisyèl) te fè rezo ekleraj pi konplèks, ak chofè ki ap dirije yo optimize konsomasyon pouvwa ak adapte yo a chanje kondisyon an tan reyèl.
Nan endistri pouvwa chofè dirije, efikasite a ak vitès chanje nanMOSFET yo(Metal oksid Semiconductor Field Effect Transistors) enpòtan anpil. Aparèy semi-conducteurs sa yo se yon pati entegral nan ekipman pou pouvwa ki ap dirije yo paske yo kapab okipe gwo kouran ak pèt minimòm, asire operasyon enèji efikas. Atribi kle yo nan teknoloji MOSFET, ba sou-rezistans ak kapasite switch rapid, amelyore konsepsyon ekipman pou pouvwa, pèmèt chofè ki ap dirije kontra enfòmèl ant, serye ak pèfòmans segondè. Avansman nan konsepsyon MOSFET, tankou sa yo ki bay chaj pòtay ki ba ak amelyore pèfòmans tèmik, kontinye kondwi devlopman nan solisyon pouvwa ekleraj dirije ak yon konsantre sou aplikasyon dirab, enèji-efikas ak pri-efikas.
Aplikasyon an nanWINSOKMOSFET nan dirije ekipman pou pouvwa kondwi, modèl prensipal yo aplike yo se:
| Nimewo pati | Konfigirasyon | Kalite | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Pake | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | ||||
| Selibatè | N-ch | 30 | 7 | 0.5 | 0.8 | 1.2 | - | - | 572 | SOT-23-3L | |
| Doub | N-ch | 60 | 6.5 | 1 | 2 | 3 | 43 | 52 | 870 | SOP-8 | |
| N+P | N-ch | 60 | 6.5 | 1 | 2 | 3 | 26 | 36 | 670 | SOP-8 | |
| P-ch | -60 | -4.5 | -1.5 | -2 | -2.5 | 60 | 75 | 500 | |||
| Selibatè | N-ch | 100 | 15 | 1.5 | 2 | 2.5 | 80 | 100 | 940 | TO-252 | |
| Selibatè | N-ch | 100 | 26 | 2 | 3 | 4 | 32 | 45 | 1350 | TO-252 | |
Lòt nimewo materyèl mak ki koresponn ak WINSOK ki pi wo aMOSFETyo se:
Nimewo materyèl korespondan WINSOK MOSFET WST3400 yo se: AOS AO3400, AO3400A, AO3404. Onsemi, FAIRCHILD FDN537N. NIKO-SEM P3203CMG. Potens Semiconductor PDN3912S. DINTEK ELECTRONICS DTS3406.
Nimewo materyèl korespondan WINSOK MOSFET WSP6946 yo se: AOS AO4828, AOSD62666E, AOSD6810.Onsemi, FAIRCHILD FDS5351. Potens Semiconductor PDS6810. DINTEK ELECTRONICS DTM4946.
Nimewo materyèl korespondan WINSOK MOSFET WSP6067 yo se: AOS AO4611, AO4612. Onsemi, FAIRCHILD ECH8690. P5506NV. Potens Semiconductor PDS6710. DINTEK ELECTRONICS DTM9906, DTM9908.
Nimewo materyèl korespondan WINSOK MOSFET yo se: AOS AO4611, AO4612.
Nimewo materyèl korespondan pou WINSOK MOSFET WSF15N10 yo se: AOS AOD478, AOD2922.Potens Semiconductor PDD0956.
Nimewo materyèl korespondan yo nanWINSOK MOSFETWSF40N10 yo se: AOS AOD2910E, AOD4126.Onsemi, FAIRCHILD FDD3672.NIKO-SEM P1210BDA, P1410BD.Potens Semiconductor PDD0904.DINTEK ELECTRONICS DTU40N10.
An jeneral, endistri pouvwa chofè ki ap dirije a pare pou kwasans kontinye, kondwi pa efikasite enèji, teknoloji avanse, ak dirèksyon mondyal solisyon ekleraj entelijan ak dirab.
Tan pòs: Nov-06-2023
