Nan endistri elektwonik ak automatisation, aplikasyon an nanMOSFET yo(metal-oksid-semiconductor jaden-efè tranzistò) te vin tounen yon faktè kle nan amelyore pèfòmans nan regilatè vitès elektwonik (ESR). Atik sa a pral eksplore ki jan MOSFET yo travay ak ki jan yo jwe yon wòl enpòtan anpil nan kontwòl vitès elektwonik.
Prensip debaz k ap travay nan MOSFET:
Yon MOSFET se yon aparèy semi-conducteurs ki vire kouran elektrik sou oswa koupe atravè kontwòl vòltaj. Nan regilatè vitès elektwonik, MOSFET yo itilize kòm eleman chanje pou kontwole koule aktyèl la nan motè a, sa ki pèmèt kontwòl egzak sou vitès motè a.
Aplikasyon MOSFET nan regilatè vitès elektwonik:
Pran avantaj de vitès switch ekselan li yo ak kapasite kontwòl aktyèl efikas, MOSFET yo lajman ki itilize nan regilatè vitès elektwonik nan sikui PWM (Pulse Width Modulation). Aplikasyon sa a asire ke motè a ka opere stab ak efikasite anba divès kondisyon chaj.
Chwazi bon MOSFET:
Lè w ap desine yon regilatè vitès elektwonik, li enpòtan pou w chwazi bon MOSFET. Paramèt yo konsidere gen ladan vòltaj maksimòm drenaj-sous (V_DS), maksimòm aktyèl flit kontinyèl (I_D), vitès chanje, ak pèfòmans tèmik.
Sa ki anba la yo se nimewo pati aplikasyon WINSOK MOSFET nan regilatè vitès elektwonik:
| Nimewo pati | Konfigirasyon | Kalite | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Pake | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | ||||
| Selibatè | N-ch | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Selibatè | P-ch | -30 | -40 | -1.3 | -1.8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Selibatè | N-ch | 30 | 100 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 3.3 | 4 | 1350 | DFN5X6-8 | |
| Selibatè | N-ch | 30 | 120 | 1.2 | 1.7 | 2.5 | 1.9 | 2.5 | 4900 | DFN5X6-8 | |
| Selibatè | N-ch | 30 | 150 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 1.8 | 2.4 | 3200 | DFN5X6-8 | |
Nimewo materyèl korespondan yo se jan sa a:
WINSOK WSD3050DN nimewo materyèl ki koresponn: AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS4939N,NTFS4C0NY9. TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P. NIKO-SEM PE5G6EA.
WINSOK WSD30L40DN korespondan nimewo materyèl: AOS AON7405,AONR21357,AONR7403,AONR21305C. STMicroelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEMP1203EEA,PE507BA.
WINSOK WSD30100DN56 nimewo materyèl ki koresponn: AOS AON6354,AON6572,AON6314,AON6502,AON6510.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4946N.VISHAY SiRA60DP,SiDR390DP,SiRA80DP,SDR390DP,SiRA80DP,SDR392DP,SDR392DP,SDR390DP,SDR390DP 3LLH5.INFINEON/IR BSC014N03LSG,BSC016N03LSG,BSC014N03MSG,BSC016N03MSG.NXP NXPPSMN7R0- 30YL.PANJIT PJQ5424.NIKO-SEMPK698SA.Potens Semiconductor PDC3960X.
WINSOK WSD30160DN56 nimewo materyèl korespondan: AOS AON6382,AON6384,AON6404A,AON6548.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4834N,NTMFS4C05N.TOSHIBA TPH2R903PL.PANJIT PJQ542 X.
WINSOK WSD30150DN56 nimewo materyèl korespondan: AOS AON6512,AONS32304.Onsemi,FAIRCHILD FDMC8010DCCM.NXP PSMN1R7-30YL.TOSHIBA TPH1R403NL.PANJIT PJQ5428. NIKO-SEM PKC26BB,PKE24BB.Potens Semiconductor PDC3902X.
Optimize pèfòmans regilatè vitès elektwonik la:
Pa optimize kondisyon fonksyònman yo ak konsepsyon sikwi MOSFET la, pèfòmans regilatè vitès elektwonik la ka amelyore plis. Sa gen ladann asire bon jan refwadisman, chwazi sikwi chofè ki apwopriye a, epi asire ke lòt konpozan nan kous la ka satisfè kondisyon pèfòmans tou.
Lè poste: Oct-26-2023
