WSD100N06GDN56 N-chanèl 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Apèsi sou pwodwi WINSOK MOSFET
Vòltaj WSD100N06GDN56 MOSFET a se 60V, aktyèl la se 100A, rezistans a se 3mΩ, kanal la se N-chanèl, ak pake a se DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET zòn aplikasyon yo
Ekipman elektrik medikal MOSFET, PDs MOSFET, dron MOSFET, sigarèt elektwonik MOSFET, gwo aparèy MOSFET, ak zouti elektrik MOSFET.
WINSOK MOSFET koresponn ak lòt nimewo materyèl mak
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL13N6F7,STL14N6F7.PANJIT MOSFET PSMQC33N6NS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC692.
MOSFET paramèt
| Senbòl | Paramèt | Rating | Inite yo | ||
| VDS | Drenaj-Sous Voltage | 60 | V | ||
| VGS | Gate-Sous Voltage | ± 20 | V | ||
| ID1,6 | Kouran drenaj kontinyèl | TC = 25°C | 100 | A | |
| TC = 100 ° C | 65 | ||||
| IDM2 | Kouran drenaj enpulsyonèl | TC = 25°C | 240 | A | |
| PD | Dissipasyon pouvwa maksimòm | TC = 25°C | 83 | W | |
| TC = 100 ° C | 50 | ||||
| IAS | Kouran lavalas, Sel batman | 45 | A | ||
| EAS3 | Enèji lavalas batman kè sèl | 101 | mJ | ||
| TJ | Maksimòm Tanperati Junction | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Ranje Tanperati Depo | -55 a 150 | ℃ | ||
| RθJA1 | Rezistans tèmik Junction nan anbyen | Eta Stable | 55 | ℃/W | |
| RθJC1 | Rezistans tèmik-Junction nan ka | Eta Stable | 1.5 | ℃/W | |
| Senbòl | Paramèt | Kondisyon yo | Min. | Typ. | Max. | Inite | |
| Estatik | |||||||
| V(BR)DSS | Drenaj-Sous Pann Voltage | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | Zewo Gate Voltage Drenaj Kouran | VDS = 48 V, VGS = 0V | 1 | µA | |||
| TJ= 85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Kouran flit pòtay | VGS = ± 20V, VDS = 0V | ± 100 | nA | |||
| Sou Karakteristik | |||||||
| VGS(TH) | Pòtay Limit Voltage | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V | |
| RDS(sou)2 | Drenaj-Sous On-eta Rezistans | VGS = 10V, ID = 20A | 3.0 | 3.6 | mΩ | ||
| VGS = 4.5V, ID = 15A | 4.4 | 5.4 | mΩ | ||||
| Chanje | |||||||
| Qg | Total Gate Charge | VDS = 30V VGS = 10V ID = 20A | 58 | nC | |||
| Qgs | Gate-Sour Charge | 16 | nC | ||||
| Qgd | Gate-Drenaj chaj | 4.0 | nC | ||||
| td (sou) | Tan delè vire-sou | VGEN = 10V VDD = 30V ID = 20A RG=Ω | 18 | ns | |||
| tr | Vire-sou Tan leve | 8 | ns | ||||
| td (off) | Tan reta pou fèmen | 50 | ns | ||||
| tf | Fèmen Tan Otòn | 11 | ns | ||||
| Rg | Gat rezistans | VGS = 0V, VDS = 0V, f = 1MHz | 0.7 | Ω | |||
| Dinamik | |||||||
| Ciss | Nan kapasite | VGS = 0V VDS = 30V f = 1MHz | 3458 | pF | |||
| Coss | Soti kapasite | 1522 | pF | ||||
| Crss | Ranvèse kapasite transfè | 22 | pF | ||||
| Karakteristik drenaj-sous dyod ak evalyasyon maksimòm | |||||||
| IS1,5 | Kontinyèl Sous Kouran | VG=VD=0V, Fòs aktyèl | 55 | A | |||
| ISM | Enpulsyon Sous Kouran3 | 240 | A | ||||
| VSD2 | Dyòd Avant Voltage | ISD = 1A, VGS = 0V | 0.8 | 1.3 | V | ||
| trr | Tan Rekiperasyon Ranvèse | ISD= 20A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| Qrr | Ranvèse chaj rekiperasyon | 33 | nC | ||||
