WSD4098 Doub N-chanèl 40V 22A DFN5 * 6-8 WINSOK MOSFET

deskripsyon kout:

Sa a se yon bank pouvwa mayetik san fil ki otomatikman rekonèt telefòn Apple epi li pa mande pou deklanchman bouton.Li entegre 2.0/QC3.0/PA2.0/PD3.0/SCP/AFC opinyon ak pwodiksyon pwotokòl vit chaje.Li se yon pwodwi bank pouvwa san fil ki konpatib ak Apple/Samsung telefòn mobil synchrone boost/step-down convertisseurs, Li batri chaje jesyon, dijital tib pouvwa endikasyon, mayetik pa alamòd chaje ak lòt fonksyon.

Nimewo Modèl:WSD4098

BVDSS:40V

RDSON:7.8mΩ

ID:22A

Chèn:Doub N-chanèl

Pake:DFN5 * 6-8

Pwodwi pandan ete:Vòltaj la nan WSD4098 MOSFET se 40V, aktyèl la se 22A, rezistans a se 7.8mΩ, kanal la se Doub N-Chanèl, ak pake a se DFN5 * 6-8.

Aplikasyon:E-sigarèt, chaje san fil, motè, dron, swen medikal, chajè machin, contrôleur, pwodwi dijital, ti aparèy nan kay la, elektwonik konsomatè.

Voye imèl ba nou PDF

Pwodwi detay

Aplikasyon

Tags pwodwi

Deskripsyon jeneral

WSD4098DN56 a se tranche pèfòmans ki pi wo Doub N-Ch MOSFET ak dansite selil ekstrèm segondè, ki bay ekselan RDSON ak chaj pòtay pou pi fò nan aplikasyon pou konvètisè Buck Synchrone.WSD4098DN56 a satisfè kondisyon RoHS ak Green Product 100% EAS garanti ak fyab fonksyon konplè apwouve.

Karakteristik

Teknoloji Trench avanse dansite selil segondè, chaj Super Low Gate, ekselan n bès efè CdV/dt, 100% EAS garanti, Aparèy vèt ki disponib.

Aplikasyon

Segondè Frekans Point-of-Chaj Synchrone, Buck Converter pou MB/NB/UMPC/VGA, Rezo DC-DC Power System, Chaj switch, E-sigarèt, chaje san fil, motè, dron, swen medikal, chajè machin, contrôleur, dijital pwodwi, ti aparèy nan kay la, elektwonik konsomatè.

nimewo materyèl ki koresponn lan

AOS AON6884

Paramèt enpòtan

Senbòl	Paramèt		Rating	Inite
Evalyasyon komen
VDSS	Drenaj-Sous Voltage		40	V
VGSS	Gate-Sous Voltage		± 20	V
TJ	Maksimòm Tanperati Junction		150	°C
TSTG	Ranje Tanperati Depo		-55 a 150	°C
IS	Dyòd kontinyèl Avant kouran	TA = 25°C	11.4	A
ID	Kouran drenaj kontinyèl	TA = 25°C	22	A
ID	Kouran drenaj kontinyèl			A
		TA = 70°C	22
Mwen DM b	Kouran drenaj batman kè yo teste	TA = 25°C	88	A
PD	Dissipasyon pouvwa maksimòm	T. = 25°C	25	W
PD	Dissipasyon pouvwa maksimòm	TC = 70°C	10	W
RqJL	Rezistans tèmik-Junction a plon	Eta Stable	5	°C/W
RqJA	Rezistans tèmik-Junction nan anbyen	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	Rezistans tèmik-Junction nan anbyen	Eta Etabl b	90	°C/W
Mwen AS d	Kouran lavalas, Sel batman	L = 0.5mH	28	A
E AS d	Enèji lavalas, batman kè sèl	L = 0.5mH	39.2	mJ

Senbòl	Paramèt	Kondisyon tès yo		Min.	Typ.	Max.	Inite
Karakteristik estatik
BVDSS	Drenaj-Sous Pann Voltage	VGS = 0V, IDS = 250mA		40	-	-	V
IDSS	Zewo Gate Voltage Drenaj Kouran	VDS = 32V, VGS = 0V		-	-	1	mA
IDSS	Zewo Gate Voltage Drenaj Kouran						mA
			TJ = 85°C	-	-	30
VGS(th)	Pòtay Limit Voltage	VDS = VGS, IDS = 250mA		1.2	1.8	2.5	V
IGSS	Kouran flit pòtay	VGS = ± 20V, VDS = 0V		-	-	± 100	nA
R DS(ON) e	Drenaj-Sous On-eta Rezistans	VGS = 10V, IDS = 14A		-	6.8	7.8	m W
R DS(ON) e	Drenaj-Sous On-eta Rezistans	VGS = 4.5V, IDS = 12 A		-	9.0	11	m W
Karakteristik Dyòd
V SD e	Dyòd Avant Voltage	ISD = 1A, VGS = 0V		-	0.75	1.1	V
trr	Tan Rekiperasyon Ranvèse	ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs		-	23	-	ns
Qrr	Ranvèse chaj rekiperasyon	ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs		-	13	-	nC
Karakteristik dinamik f
RG	Rezistans pòtay	VGS = 0V, VDS = 0V, F = 1MHz		-	2.5	-	W
Ciss	Antre kapasite	VGS = 0V, VDS = 20V, Frekans = 1.0MHz		-	1370	1781	pF
Coss	Sòti kapasite			-	317	-
Crss	Ranvèse kapasite transfè			-	96	-
td(ON)	Tan delè vire-sou	VDD = 20V, RL = 20W, IDS = 1A, VGEN = 10V, RG = 6W		-	13.8	-	ns
tr	Vire-sou Tan leve			-	8	-
td (OFF)	Tan reta pou fèmen			-	30	-
tf	Fèmen Tan Otòn			-	21	-
Karakteristik chaj pòtay f
Qg	Total Gate Charge	VDS = 20V, VGS = 10V, IDS = 6A		-	23	28	nC
Qg	Total Gate Charge	VDS = 20V, VGS = 4.5V, IDS = 6A		-	22	-
Qgth	Papòt Gate Charge			-	2.6	-
Qgs	Pòtay-Sous chaj			-	4.7	-
Qgd	Gate-Drenaj chaj			-	3	-