WSD6040DN56 N-chanèl 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Apèsi sou pwodwi WINSOK MOSFET
Vòltaj WSD6040DN56 MOSFET a se 60V, aktyèl la se 36A, rezistans a se 14mΩ, kanal la se N-chanèl, ak pake a se DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET zòn aplikasyon yo
E-sigarèt MOSFET, san fil chaje MOSFET, motè MOSFET, dron MOSFET, swen medikal MOSFET, chajè machin MOSFET, contrôleur MOSFET, pwodwi dijital MOSFET, ti aparèy nan kay la MOSFET, konsomatè elektwonik MOSFET.
WINSOK MOSFET koresponn ak lòt nimewo materyèl mak
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC6964X.
MOSFET paramèt
| Senbòl | Paramèt | Rating | Inite yo | ||
| VDS | Drenaj-Sous Voltage | 60 | V | ||
| VGS | Gate-Sous Voltage | ± 20 | V | ||
| ID | Kouran drenaj kontinyèl | TC = 25°C | 36 | A | |
| TC = 100 ° C | 22 | ||||
| ID | Kouran drenaj kontinyèl | TA = 25°C | 8.4 | A | |
| TA = 100°C | 6.8 | ||||
| IDMa | Kouran drenaj enpulsyonèl | TC = 25°C | 140 | A | |
| PD | Dissipasyon pouvwa maksimòm | TC = 25°C | 37.8 | W | |
| TC = 100 ° C | 15.1 | ||||
| PD | Dissipasyon pouvwa maksimòm | TA = 25°C | 2.08 | W | |
| TA = 70°C | 1.33 | ||||
| IAS c | Kouran lavalas, Sel batman | L = 0.5mH | 16 | A | |
| EASc | Enèji lavalas batman kè sèl | L = 0.5mH | 64 | mJ | |
| IS | Dyòd kontinyèl Avant kouran | TC = 25°C | 18 | A | |
| TJ | Maksimòm Tanperati Junction | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Ranje Tanperati Depo | -55 a 150 | ℃ | ||
| RθJAb | Rezistans tèmik Junction nan anbyen | Eta Stable | 60 | ℃/W | |
| RθJC | Rezistans tèmik-Junction nan ka | Eta Stable | 3.3 | ℃/W | |
| Senbòl | Paramèt | Kondisyon yo | Min. | Typ. | Max. | Inite | |
| Estatik | |||||||
| V(BR)DSS | Drenaj-Sous Pann Voltage | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | Zewo Gate Voltage Drenaj Kouran | VDS = 48 V, VGS = 0V | 1 | µA | |||
| TJ= 85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Kouran flit pòtay | VGS = ± 20V, VDS = 0V | ± 100 | nA | |||
| Sou Karakteristik | |||||||
| VGS(TH) | Pòtay Limit Voltage | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1 | 1.6 | 2.5 | V | |
| RDS(sou)d | Drenaj-Sous On-eta Rezistans | VGS = 10V, ID = 25A | 14 | 17.5 | mΩ | ||
| VGS = 4.5V, ID = 20A | 19 | 22 | mΩ | ||||
| Chanje | |||||||
| Qg | Total Gate Charge | VDS = 30V VGS = 10V ID = 25A | 42 | nC | |||
| Qgs | Gate-Sour Charge | 6.4 | nC | ||||
| Qgd | Gate-Drenaj chaj | 9.6 | nC | ||||
| td (sou) | Tan delè vire-sou | VGEN = 10V VDD = 30V ID = 1A RG = 6Ω RL = 30Ω | 17 | ns | |||
| tr | Vire-sou Tan leve | 9 | ns | ||||
| td (off) | Tan reta pou fèmen | 58 | ns | ||||
| tf | Fèmen Tan Otòn | 14 | ns | ||||
| Rg | Gat rezistans | VGS = 0V, VDS = 0V, f = 1MHz | 1.5 | Ω | |||
| Dinamik | |||||||
| Ciss | Nan kapasite | VGS = 0V VDS = 30V f = 1MHz | 2100 | pF | |||
| Coss | Soti kapasite | 140 | pF | ||||
| Crss | Ranvèse kapasite transfè | 100 | pF | ||||
| Karakteristik drenaj-sous dyod ak evalyasyon maksimòm | |||||||
| IS | Kontinyèl Sous Kouran | VG=VD=0V, Fòs aktyèl | 18 | A | |||
| ISM | Enpulsyon Sous Kouran3 | 35 | A | ||||
| VSDd | Dyòd Avant Voltage | ISD = 20A, VGS = 0V | 0.8 | 1.3 | V | ||
| trr | Tan Rekiperasyon Ranvèse | ISD= 25A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| Qrr | Ranvèse chaj rekiperasyon | 33 | nC | ||||
