WSD6060DN56 N-chanèl 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

deskripsyon kout:

Nimewo Pati:WSD6060DN56

BVDSS:60V

ID:65A

RDSON:7.5mΩ

Chèn:N-chanèl

Pake:DFN5X6-8

Voye imèl ba nou PDF

Pwodwi detay

Aplikasyon

Tags pwodwi

Apèsi sou pwodwi WINSOK MOSFET

Vòltaj la nan WSD6060DN56 MOSFET se 60V, aktyèl la se 65A, rezistans a se 7.5mΩ, kanal la se N-chanèl, ak pake a se DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET zòn aplikasyon yo

E-sigarèt MOSFET, san fil chaje MOSFET, motè MOSFET, dron MOSFET, swen medikal MOSFET, chajè machin MOSFET, contrôleur MOSFET, pwodwi dijital MOSFET, ti aparèy nan kay la MOSFET, konsomatè elektwonik MOSFET.

WINSOK MOSFET koresponn ak lòt nimewo materyèl mak

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC696X.

MOSFET paramèt

Senbòl	Paramèt		Rating	Inite
Evalyasyon komen
VDSS	Drenaj-Sous Voltage		60	V
VGSS	Gate-Sous Voltage		± 20	V
T_J	Maksimòm Tanperati Junction		150	°C
TSTG	Ranje Tanperati Depo		-55 a 150	°C
I_S	Dyòd kontinyèl Avant kouran	T_c= 25°C	30	A
ID	Kouran drenaj kontinyèl	T_c= 25°C	65	A
ID	Kouran drenaj kontinyèl	T_c= 70°C	42	A
Mwen DM b	Kouran drenaj batman kè yo teste	T_c= 25°C	250	A
P_D	Dissipasyon pouvwa maksimòm	T_c= 25°C	62.5	W
P_D	Dissipasyon pouvwa maksimòm	T_C= 70°C	38	W
R_qJL	Rezistans tèmik-Junction a plon	Eta Stable	2.1	°C/W
RqJA	Rezistans tèmik-Junction nan anbyen	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	Rezistans tèmik-Junction nan anbyen	Eta Stable^b	50	°C/W
Mwen AS^d	Kouran lavalas, Sel batman	L = 0.5mH	18	A
E AS d	Enèji lavalas, batman kè sèl	L = 0.5mH	81	mJ

Senbòl	Paramèt	Kondisyon tès yo		Min.	Typ.	Max.	Inite
Karakteristik estatik
BV_DSS	Drenaj-Sous Pann Voltage	V_GS= 0V, mwen_DS= 250mA		60	-	-	V
IDSS	Zewo Gate Voltage Drenaj Kouran	V_DS= 48V, V_GS= 0V		-	-	1	mA
IDSS	Zewo Gate Voltage Drenaj Kouran						mA
			T_J= 85°C	-	-	30
VGS(th)	Pòtay Limit Voltage	V_DS=V_GS, mwen_DS= 250mA		1.2	1.5	2.5	V
IGSS	Kouran flit pòtay	V_GS= ± 20V, V_DS= 0V		-	-	± 100	nA
R DS(ON) 3	Drenaj-Sous On-eta Rezistans	V_GS= 10V, mwen_DS= 20A		-	7.5	10	m W
R DS(ON) 3	Drenaj-Sous On-eta Rezistans	V_GS= 4.5V, mwen_DS= 15 A		-	10	15	m W
Karakteristik Dyòd
V SD	Dyòd Avant Voltage	I_SD= 1A, V_GS= 0V		-	0.75	1.2	V
t_rr	Tan Rekiperasyon Ranvèse	I_SD= 20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	42	-	ns
Q_rr	Ranvèse chaj rekiperasyon	I_SD= 20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	36	-	nC
Karakteristik dinamik^3,4
R_G	Rezistans pòtay	V_GS= 0V,V_DS= 0V, F = 1MHz		-	1.5	-	W
C_iss	Antre kapasite	V_GS= 0V, V_DS= 30V, F = 1.0MHz Ω		-	1340	-	pF
C_oss	Sòti kapasite			-	270	-
C_rss	Ranvèse kapasite transfè			-	40	-
td(ON)	Tan delè vire-sou	VDD = 30V, IDS = 1A, VGEN = 10V, RG = 6Ω.		-	15	-	ns
t_r	Vire-sou Tan leve			-	6	-
td (OFF)	Tan reta pou fèmen			-	33	-
t_f	Fèmen Tan Otòn			-	30	-
Karakteristik chaj Gate ^3,4
Q_g	Total Gate Charge	V_DS= 30V, V_GS= 4.5V, mwen_DS= 20A		-	13	-	nC
Q_g	Total Gate Charge	V_DS= 30V, V_GS= 10V, I_DS= 20A		-	27	-
Q_gth	Papòt Gate Charge			-	4.1	-
Q_gs	Pòtay-Sous chaj			-	5	-
Q_gd	Gate-Drenaj chaj			-	4.2	-