WSD75N12GDN56 N-chanèl 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Apèsi sou pwodwi WINSOK MOSFET
Vòltaj WSD75N12GDN56 MOSFET a se 120V, aktyèl la se 75A, rezistans a se 6mΩ, kanal la se N-chanèl, ak pake a se DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET zòn aplikasyon yo
Ekipman medikal MOSFET, dron MOSFET, PD ekipman pou pouvwa MOSFET, ki ap dirije ekipman pou MOSFET, ekipman endistriyèl MOSFET.
MOSFET aplikasyon fieldsWINSOK MOSFET koresponn ak lòt nimewo materyèl mak
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.
MOSFET paramèt
| Senbòl | Paramèt | Rating | Inite yo |
| VDSS | Drenaj-a-Sous Voltage | 120 | V |
| VGS | Pòtay-a-Sous Voltage | ± 20 | V |
| ID | 1 Kouran drenaj kontinyèl (Tc = 25 ℃) | 75 | A |
| ID | 1 Kouran drenaj kontinyèl (Tc = 70 ℃) | 70 | A |
| IDM | Kouran drenaj enpulsyonèl | 320 | A |
| IAR | Single batman kè lavalas kouran | 40 | A |
| EASa | Single batman kè lavalas enèji | 240 | mJ |
| PD | Dissipasyon pouvwa | 125 | W |
| TJ，Tstg | Opere Junction ak Depo Tanperati Range | -55 a 150 | ℃ |
| TL | Tanperati maksimòm pou soude | 260 | ℃ |
| RθJC | Rezistans tèmik, Junction-a-Ka | 1.0 | ℃/W |
| RθJA | Rezistans tèmik, Junction-a-Anbyans | 50 | ℃/W |
| Senbòl | Paramèt | Kondisyon tès yo | Min. | Typ. | Max. | Inite yo |
| VDSS | Drenaj Sous Pann Voltage | VGS = 0V, ID = 250µA | 120 | -- | -- | V |
| IDSS | Drenaj Sous Kouran Flit | VDS = 120V, VGS = 0V | -- | -- | 1 | µA |
| IGSS(F) | Gate nan Sous Forward Leakage | VGS =+20V | -- | -- | 100 | nA |
| IGSS(R) | Gate nan Sous ranvèse Leakage | VGS =-20V | -- | -- | -100 | nA |
| VGS(TH) | Pòtay Limit Voltage | VDS = VGS, ID = 250µA | 2.5 | 3.0 | 3.5 | V |
| RDS(ON)1 | Drenaj-a-Sous Sou-Rezistans | VGS = 10V, ID = 20A | -- | 6.0 | 6.8 | mΩ |
| gFS | Transkonduktans Avant | VDS = 5V, ID = 50A | 130 | -- | S | |
| Ciss | Antre kapasite | VGS = 0V VDS = 50V f =1.0MHz | -- | 4282 | -- | pF |
| Coss | Sòti kapasite | -- | 429 | -- | pF | |
| Crss | Ranvèse kapasite transfè | -- | 17 | -- | pF | |
| Rg | Rezistans pòtay | -- | 2.5 | -- | Ω | |
| td(ON) | Tan delè vire-sou | ID = 20A VDS = 50V VGS = 10V RG = 5Ω | -- | 20 | -- | ns |
| tr | Leve tan | -- | 11 | -- | ns | |
| td (OFF) | Tan delè pou fèmen | -- | 55 | -- | ns | |
| tf | Tan Otòn | -- | 28 | -- | ns | |
| Qg | Total Gate Charge | VGS = 0 ~ 10V VDS = 50VID = 20A | -- | 61.4 | -- | nC |
| Qgs | Gate Sous chaj | -- | 17.4 | -- | nC | |
| Qgd | Chaj Drenaj Gate | -- | 14.1 | -- | nC | |
| IS | Dyòd Avant Kouran | TC = 25 °C | -- | -- | 100 | A |
| ISM | Dyòd batman kè aktyèl | -- | -- | 320 | A | |
| VSD | Dyòd Avant Voltage | IS = 6.0A, VGS = 0V | -- | -- | 1.2 | V |
| trr | Tan rekiperasyon ranvèse | IS = 20A, VDD = 50V dIF/dt=100A/μs | -- | 100 | -- | ns |
| Qrr | Ranvèse chaj rekiperasyon | -- | 250 | -- | nC |
