WSF4022 Doub N-chanèl 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET
Deskripsyon jeneral
WSF4022 a se tranche pèfòmans ki pi wo Doub N-Ch MOSFET ak dansite selil ekstrèm segondè, ki bay ekselan RDSON ak chaj pòtay pou pi fò nan aplikasyon yo synchrone Buck convertisseur. fyab apwouve.
Karakteristik
Pou Fan Pre-chofè H-Bridge, Kontwòl Motè, Rektifikasyon Synchrone, E-sigarèt, chaje san fil, motè, ekipman pou ijans pouvwa, dron, swen medikal, chajè machin, contrôleur, pwodwi dijital, ti aparèy nan kay la, elektwonik konsomatè.
Aplikasyon
Pou Fan Pre-chofè H-Bridge, Kontwòl Motè, Rektifikasyon Synchrone, E-sigarèt, chaje san fil, motè, ekipman pou ijans pouvwa, dron, swen medikal, chajè machin, contrôleur, pwodwi dijital, ti aparèy nan kay la, elektwonik konsomatè.
nimewo materyèl ki koresponn lan
AOS
Paramèt enpòtan
| Senbòl | Paramèt | Rating | Inite yo | |
| VDS | Drenaj-Sous Voltage | 40 | V | |
| VGS | Gate-Sous Voltage | ± 20 | V | |
| ID | Kouran Drenaj (Kontinyèl) *AC | TC = 25°C | 20* | A |
| ID | Kouran Drenaj (Kontinyèl) *AC | TC = 100 ° C | 20* | A |
| ID | Kouran Drenaj (Kontinyèl) *AC | TA = 25°C | 12.2 | A |
| ID | Kouran Drenaj (Kontinyèl) *AC | TA = 70°C | 10.2 | A |
| IDMa | Kouran drenaj enpulsyonèl | TC = 25°C | 80* | A |
| EASb | Enèji lavalas batman kè sèl | L = 0.5mH | 25 | mJ |
| IAS b | Kouran Lavalas | L = 0.5mH | 17.8 | A |
| PD | Dissipasyon pouvwa maksimòm | TC = 25°C | 39.4 | W |
| PD | Dissipasyon pouvwa maksimòm | TC = 100 ° C | 19.7 | W |
| PD | Dissipasyon pouvwa | TA = 25°C | 6.4 | W |
| PD | Dissipasyon pouvwa | TA = 70°C | 4.2 | W |
| TJ | Operasyon Junction Tanperati Range | 175 | ℃ | |
| TSTG | Tanperati Fonksyònman / Tanperati Depo | -55 ~ 175 | ℃ | |
| RθJA b | Rezistans tèmik Junction-Anbian | Eta Etan c | 60 | ℃/W |
| RθJC | Rezistans tèmik Junction nan ka | 3.8 | ℃/W |
| Senbòl | Paramèt | Kondisyon yo | Min. | Typ. | Max. | Inite |
| Estatik | ||||||
| V(BR)DSS | Drenaj-Sous Pann Voltage | VGS = 0V, ID = 250μA | 40 | V | ||
| IDSS | Zewo Gate Voltage Drenaj Kouran | VDS = 32V, VGS = 0V | 1 | µA | ||
| IDSS | Zewo Gate Voltage Drenaj Kouran | VDS = 32V, VGS = 0V, TJ = 85°C | 30 | µA | ||
| IGSS | Kouran flit pòtay | VGS = ± 20V, VDS = 0V | ± 100 | nA | ||
| VGS(th) | Pòtay Limit Voltage | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1.1 | 1.6 | 2.5 | V |
| RDS(sou) d | Drenaj-Sous On-eta Rezistans | VGS = 10V, ID = 10A | 16 | 21 | mΩ | |
| VGS = 4.5V, ID = 5A | 18 | 25 | mΩ | |||
| Gate Chargee | ||||||
| Qg | Total Gate Charge | VDS = 20V, VGS = 4.5V, ID = 10A | 7.5 | nC | ||
| Qgs | Gate-Sous Charge | 3.24 | nC | |||
| Qgd | Gate-Drenaj chaj | 2.75 | nC | |||
| Dinamik | ||||||
| Ciss | Antre kapasite | VGS = 0V, VDS = 20V, f = 1MHz | 815 | pF | ||
| Coss | Sòti kapasite | 95 | pF | |||
| Crss | Ranvèse kapasite transfè | 60 | pF | |||
| td (sou) | Tan delè vire-sou | VDD = 20V, VGEN = 10V, IDS = 1A, RG = 6Ω, RL = 20Ω. | 7.8 | ns | ||
| tr | Vire-sou Tan leve | 6.9 | ns | |||
| td (off) | Tan reta pou fèmen | 22.4 | ns | |||
| tf | Fèmen Tan Otòn | 4.8 | ns | |||
| Dyòd | ||||||
| VSDd | Dyòd Avant Voltage | ISD = 1A, VGS = 0V | 0.75 | 1.1 | V | |
| trr | Antre kapasite | IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs | 13 | ns | ||
| Qrr | Sòti kapasite | 8.7 | nC | |||
Ekri mesaj ou la a epi voye l ba nou
