WSF4022 Doub N-chanèl 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET

pwodwi yo

WSF4022 Doub N-chanèl 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET

deskripsyon kout:


  • Nimewo Modèl:WSF4022
  • BVDSS:40V
  • RDSON:21mΩ
  • ID:20A
  • Chèn:Doub N-chanèl
  • Pake:TO-252-4L
  • Pwodwi pandan ete:Vòltaj WSF30150 MOSFET a se 40V, aktyèl la se 20A, rezistans a se 21mΩ, kanal la se Doub N-Chanèl, ak pake a se TO-252-4L.
  • Aplikasyon:E-sigarèt, chaje san fil, motè, ekipman pou ijans pouvwa, dron, swen medikal, chajè machin, contrôleur, pwodwi dijital, ti aparèy nan kay la, elektwonik konsomatè.
  • Pwodwi detay

    Aplikasyon

    Tags pwodwi

    Deskripsyon jeneral

    WSF4022 a se tranche pèfòmans ki pi wo a Doub N-Ch MOSFET ak dansite selil ekstrèm segondè, ki bay ekselan RDSON ak chaj pòtay pou pifò nan aplikasyon yo konvètisè Buck synchrone. WSF4022 a satisfè kondisyon RoHS ak Green Product 100% EAS garanti ak fonksyon konplè. fyab apwouve.

    Karakteristik

    Pou Fan Pre-chofè H-Bridge, kontwòl motè, rektifikasyon synchrone, e-sigarèt, chaje san fil, motè, ekipman ijans pouvwa, dron, swen medikal, chajè machin, contrôleur, pwodwi dijital, ti aparèy nan kay la, elektwonik konsomatè.

    Aplikasyon

    Pou Fan Pre-chofè H-Bridge, kontwòl motè, rektifikasyon synchrone, e-sigarèt, chaje san fil, motè, ekipman ijans pouvwa, dron, swen medikal, chajè machin, contrôleur, pwodwi dijital, ti aparèy nan kay la, elektwonik konsomatè.

    nimewo materyèl ki koresponn lan

    AOS

    Paramèt enpòtan

    Senbòl Paramèt   Rating Inite yo
    VDS Drenaj-Sous Voltage   40 V
    VGS Gate-Sous Voltage   ± 20 V
    ID Kouran Drenaj (Kontinyèl) *AC TC = 25°C 20* A
    ID Kouran Drenaj (Kontinyèl) *AC TC = 100 ° C 20* A
    ID Kouran Drenaj (Kontinyèl) *AC TA = 25°C 12.2 A
    ID Kouran Drenaj (Kontinyèl) *AC TA = 70°C 10.2 A
    IDMa Kouran drenaj enpulsyonèl TC = 25°C 80* A
    EASb Enèji lavalas batman kè sèl L = 0.5mH 25 mJ
    IAS b Kouran Lavalas L = 0.5mH 17.8 A
    PD Dissipasyon pouvwa maksimòm TC = 25°C 39.4 W
    PD Dissipasyon pouvwa maksimòm TC = 100 ° C 19.7 W
    PD Dissipasyon pouvwa TA = 25°C 6.4 W
    PD Dissipasyon pouvwa TA = 70°C 4.2 W
    TJ Operasyon Junction Tanperati Range   175
    TSTG Tanperati Fonksyònman / Tanperati Depo   -55 ~ 175
    RθJA b Rezistans tèmik Junction-Anbian Eta Etan c 60 ℃/W
    RθJC Rezistans tèmik Junction nan ka   3.8 ℃/W
    Senbòl Paramèt Kondisyon Min. Typ. Max. Inite
    Estatik      
    V(BR)DSS Drenaj-Sous Pann Voltage VGS = 0V, ID = 250μA 40     V
    IDSS Zewo Gate Voltage Drenaj Kouran VDS = 32V, VGS = 0V     1 µA
    IDSS Zewo Gate Voltage Drenaj Kouran VDS = 32V, VGS = 0V, TJ = 85°C     30 µA
    IGSS Kouran flit pòtay VGS = ± 20V, VDS = 0V     ± 100 nA
    VGS(th) Pòtay Limit Voltage VGS = VDS, IDS = 250µA 1.1 1.6 2.5 V
    RDS(sou) d Drenaj-Sous On-eta Rezistans VGS = 10V, ID = 10A   16 21
    VGS = 4.5V, ID = 5A   18 25
    Gate Chargee      
    Qg Total Gate Charge VDS = 20V, VGS = 4.5V, ID = 10A   7.5   nC
    Qgs Pòtay-Sous chaj   3.24   nC
    Qgd Gate-Drenaj chaj   2.75   nC
    Dinamik      
    Ciss Antre kapasite VGS = 0V, VDS = 20V, f = 1MHz   815   pF
    Coss Sòti kapasite   95   pF
    Crss Ranvèse kapasite transfè   60   pF
    td (sou) Tan delè vire-sou VDD = 20V, VGEN = 10V,

    IDS = 1A, RG = 6Ω, RL = 20Ω.

      7.8   ns
    tr Vire-sou Tan leve   6.9   ns
    td (off) Tan reta pou fèmen   22.4   ns
    tf Fèmen Tan Otòn   4.8   ns
    Dyòd      
    VSDd Dyòd Avant Voltage ISD = 1A, VGS = 0V   0.75 1.1 V
    trr Antre kapasite IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs   13   ns
    Qrr Sòti kapasite   8.7   nC

  • Previous:
  • Pwochen:

  • Ekri mesaj ou la a epi voye l ba nou

    Pwodwikategori