WSP4088 N-chanèl 40V 11A SOP-8 WINSOK MOSFET

deskripsyon kout:

Nimewo Modèl:WSP4088

BVDSS:40V

RDSON:13mΩ

ID:11A

Chèn:N-chanèl

Pake:SOP-8

Pwodwi pandan ete:Vòltaj WSP4088 MOSFET se 40V, aktyèl la se 11A, rezistans lan se 13mΩ, kanal la se N-chanèl, ak pake a se SOP-8.

Aplikasyon:Sigarèt elektwonik, chaje san fil, motè, dron, medikal, chaje machin, contrôleur, pwodwi dijital, ti aparèy nan kay la, elektwonik konsomatè, elatriye.

Voye imèl ba nou PDF

Pwodwi detay

Aplikasyon

Tags pwodwi

Deskripsyon jeneral

WSP4088 a se pi gwo pèfòmans tranche N-chanèl MOSFET ak dansite selil trè wo bay ekselan RDSON ak chaj pòtay pou pifò aplikasyon pou konvètisè buck synchrone.WSP4088 konfòme ak RoHS ak kondisyon pwodwi vèt, 100% garanti EAS, fyab fonksyon konplè apwouve.

Karakteristik

Fyab ak rezistan, san plon ak aparèy vèt ki disponib

Aplikasyon

Jesyon pouvwa nan òdinatè Desktop oswa konvètisè DC/DC, sigarèt elektwonik, chaje san fil, motè, dron, medikal, chaje machin, contrôleur, pwodwi dijital, ti aparèy nan kay la, elektwonik konsomatè, elatriye.

nimewo materyèl ki koresponn lan

AO AO4884 AO4882,ON FDS4672A,PANJIT PJL9424,DINTEK DTM4916 elatriye.

Paramèt enpòtan

Evalyasyon maksimòm absoli (TA = 25 C Sòf si otreman te note)

Senbòl	Paramèt		Rating	Inite
Evalyasyon komen
VDSS	Drenaj-Sous Voltage		40	V
VGSS	Gate-Sous Voltage		± 20	V
TJ	Maksimòm Tanperati Junction		150	°C
TSTG	Ranje Tanperati Depo		-55 a 150	°C
IS	Dyòd kontinyèl Avant kouran	TA = 25°C	2	A
ID	Kouran drenaj kontinyèl	TA = 25°C	11	A
ID	Kouran drenaj kontinyèl	TA = 70°C	8.4
IDM a	Kouran drenaj enpulsyonèl	TA = 25°C	30
PD	Dissipasyon pouvwa maksimòm	TA = 25°C	2.08	W
PD	Dissipasyon pouvwa maksimòm	TA = 70°C	1.3	W
RqJA	Rezistans tèmik-Junction nan anbyen	t £ 10s	30	°C/W
RqJA	Rezistans tèmik-Junction nan anbyen	Eta Stable	60
RqJL	Rezistans tèmik-Junction a plon	Eta Stable	20
IAS b	Kouran lavalas, Sel batman	L = 0.1mH	23	A
EAS b	Enèji lavalas, batman kè sèl	L = 0.1mH	26	mJ

Remak yon:Max.aktyèl limite pa fil lyezon.
Nòt b:UIS teste ak lajè batman kè limite pa tanperati junction maksimòm 150oC (inisyal tanperati Tj = 25oC).

Karakteristik elektrik (TA = 25 C Sòf si otreman te note)

Senbòl	Paramèt	Kondisyon tès yo		Min.	Typ.	Max.	Inite
Karakteristik estatik
BVDSS	Drenaj-Sous Pann Voltage	VGS = 0V, IDS = 250mA		40	-	-	V
IDSS	Zewo Gate Voltage Drenaj Kouran	VDS = 32V, VGS = 0V		-	-	1	mA
IDSS	Zewo Gate Voltage Drenaj Kouran		TJ = 85°C	-	-	30	mA
VGS(th)	Pòtay Limit Voltage	VDS = VGS, IDS = 250mA		1.5	1.8	2.5	V
IGSS	Kouran flit pòtay	VGS = ± 20V, VDS = 0V		-	-	± 100	nA
RDS(ON) c	Drenaj-Sous On-eta Rezistans	VGS = 10V, IDS = 7A		-	10.5	13	mW
			TJ = 125°C	-	15.75	-
		VGS = 4.5V, IDS = 5A		-	12	16
Gfs	Transkonduktans Avant	VDS = 5V, IDS = 15A		-	31	-	S
Karakteristik Dyòd
VSD c	Dyòd Avant Voltage	ISD = 10A, VGS = 0V		-	0.9	1.1	V
trr	Tan Rekiperasyon Ranvèse	VDD = 20V, ISD = 10A, dlSD / dt = 100A / ms		-	15.2	-	ns
ta	Tan chaj			-	9.4	-
tb	Tan egzeyat			-	5.8	-
Qrr	Ranvèse chaj rekiperasyon			-	9.5	-	nC
Karakteristik dinamik d
RG	Rezistans pòtay	VGS = 0V, VDS = 0V, F = 1MHz		0.7	1.1	1.8	W
Ciss	Antre kapasite	VGS = 0V, VDS = 20V, frekans = 1.0MHz		-	1125	-	pF
Coss	Sòti kapasite			-	132	-
Crss	Ranvèse kapasite transfè			-	70	-
td(ON)	Tan delè vire-sou	VDD = 20V, RL = 20W, IDS = 1A, VGEN = 10V, RG = 1W		-	12.6	-	ns
tr	Vire-sou Tan leve			-	10	-
td (OFF)	Tan reta pou fèmen			-	23.6	-
tf	Fèmen Tan Otòn			-	6	-
Karakteristik chaj pòtay d
Qg	Total Gate Charge	VDS = 20V, VGS = 4.5V, IDS = 7A		-	9.4	-	nC
Qg	Total Gate Charge	VDS = 20V, VGS = 10V, IDS = 7A		-	20	28
Qgth	Papòt Gate Charge			-	2	-
Qgs	Pòtay-Sous chaj			-	3.9	-
Qgd	Gate-Drenaj chaj			-	3	-