WSP4088 N-chanèl 40V 11A SOP-8 WINSOK MOSFET
Deskripsyon jeneral
WSP4088 a se pi gwo pèfòmans tranche N-chanèl MOSFET ak dansite selil trè wo bay ekselan RDSON ak chaj pòtay pou pifò aplikasyon pou konvètisè buck synchrone. WSP4088 konfòme ak RoHS ak kondisyon pwodwi vèt, 100% garanti EAS, fyab fonksyon konplè apwouve.
Karakteristik
Fyab ak rezistan, san plon ak aparèy vèt ki disponib
Aplikasyon
Jesyon pouvwa nan òdinatè Desktop oswa konvètisè DC/DC, sigarèt elektwonik, chaje san fil, motè, dron, medikal, chaje machin, contrôleur, pwodwi dijital, ti aparèy nan kay la, elektwonik konsomatè, elatriye.
nimewo materyèl ki koresponn lan
AO AO4884 AO4882,ON FDS4672A,PANJIT PJL9424,DINTEK DTM4916 elatriye.
Paramèt enpòtan
Evalyasyon maksimòm absoli (TA = 25 C Sòf si otreman te note)
| Senbòl | Paramèt | Rating | Inite | |
| Evalyasyon komen | ||||
| VDSS | Drenaj-Sous Voltage | 40 | V | |
| VGSS | Gate-Sous Voltage | ± 20 | ||
| TJ | Maksimòm Tanperati Junction | 150 | °C | |
| TSTG | Ranje Tanperati Depo | -55 a 150 | ||
| IS | Dyòd kontinyèl Avant kouran | TA = 25°C | 2 | A |
| ID | Kouran drenaj kontinyèl | TA = 25°C | 11 | A |
| TA = 70°C | 8.4 | |||
| IDM a | Kouran drenaj enpulsyonèl | TA = 25°C | 30 | |
| PD | Dissipasyon pouvwa maksimòm | TA = 25°C | 2.08 | W |
| TA = 70°C | 1.3 | |||
| RqJA | Rezistans tèmik-Junction nan anbyen | t £ 10s | 30 | °C/W |
| Eta Stable | 60 | |||
| RqJL | Rezistans tèmik-Junction a plon | Eta Stable | 20 | |
| IAS b | Kouran lavalas, Sel batman | L = 0.1mH | 23 | A |
| EAS b | Enèji lavalas, batman kè sèl | L = 0.1mH | 26 | mJ |
Remak yon:Max. aktyèl limite pa fil lyezon.
Nòt b:UIS teste ak lajè batman kè limite pa tanperati junction maksimòm 150oC (inisyal tanperati Tj = 25oC).
Karakteristik elektrik (TA = 25 C Sòf si otreman te note)
| Senbòl | Paramèt | Kondisyon tès yo | Min. | Typ. | Max. | Inite | |
| Karakteristik estatik | |||||||
| BVDSS | Drenaj-Sous Pann Voltage | VGS = 0V, IDS = 250mA | 40 | - | - | V | |
| IDSS | Zewo Gate Voltage Drenaj Kouran | VDS = 32V, VGS = 0V | - | - | 1 | mA | |
| TJ = 85°C | - | - | 30 | ||||
| VGS(th) | Pòtay Limit Voltage | VDS = VGS, IDS = 250mA | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V | |
| IGSS | Kouran flit pòtay | VGS = ± 20V, VDS = 0V | - | - | ± 100 | nA | |
| RDS(ON) c | Drenaj-Sous On-eta Rezistans | VGS = 10V, IDS = 7A | - | 10.5 | 13 | mW | |
| TJ = 125°C | - | 15.75 | - | ||||
| VGS = 4.5V, IDS = 5A | - | 12 | 16 | ||||
| Gfs | Transkonduktans Avant | VDS = 5V, IDS = 15A | - | 31 | - | S | |
| Karakteristik Dyòd | |||||||
| VSD c | Dyòd Avant Voltage | ISD = 10A, VGS = 0V | - | 0.9 | 1.1 | V | |
| trr | Tan Rekiperasyon Ranvèse | VDD = 20V, ISD = 10A, dlSD / dt = 100A / ms | - | 15.2 | - | ns | |
| ta | Tan chaj | - | 9.4 | - | |||
| tb | Tan egzeyat | - | 5.8 | - | |||
| Qrr | Ranvèse chaj rekiperasyon | - | 9.5 | - | nC | ||
| Karakteristik dinamik d | |||||||
| RG | Rezistans pòtay | VGS = 0V, VDS = 0V, F = 1MHz | 0.7 | 1.1 | 1.8 | W | |
| Ciss | Antre kapasite | VGS = 0V, VDS = 20V, frekans = 1.0MHz | - | 1125 | - | pF | |
| Coss | Sòti kapasite | - | 132 | - | |||
| Crss | Ranvèse kapasite transfè | - | 70 | - | |||
| td(ON) | Tan delè vire-sou | VDD = 20V, RL = 20W, IDS = 1A, VGEN = 10V, RG = 1W | - | 12.6 | - | ns | |
| tr | Vire-sou Tan leve | - | 10 | - | |||
| td (OFF) | Tan reta pou fèmen | - | 23.6 | - | |||
| tf | Fèmen Tan Otòn | - | 6 | - | |||
| Karakteristik chaj pòtay d | |||||||
| Qg | Total Gate Charge | VDS = 20V, VGS = 4.5V, IDS = 7A | - | 9.4 | - | nC | |
| Qg | Total Gate Charge | VDS = 20V, VGS = 10V, IDS = 7A | - | 20 | 28 | ||
| Qgth | Papòt Gate Charge | - | 2 | - | |||
| Qgs | Gate-Sous Charge | - | 3.9 | - | |||
| Qgd | Gate-Drenaj chaj | - | 3 | - | |||
Remak c:
Tès batman kè; lajè batman £300ms, sik devwa£2%.
