WSP4888 Doub N-chanèl 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET
Deskripsyon jeneral
WSP4888 a se yon tranzistò pèfòmans segondè ak yon estrikti selil dans, ideyal pou itilize nan konvètisè Buck synchrone.Li gen anpil RDSON ak chaj pòtay, sa ki fè li yon chwa prensipal pou aplikasyon sa yo.Anplis de sa, WSP4888 a satisfè tou de kondisyon RoHS ak Green Product epi li vini ak yon garanti 100% EAS pou fonksyon serye.
Karakteristik
Teknoloji Trench avanse karakteristik dansite selil segondè ak chaj pòtay super ba, siyifikativman diminye efè CdV/dt.Aparèy nou yo vini ak yon garanti 100% EAS ak opsyon zanmitay anviwònman an.
MOSFET nou yo sibi mezi kontwòl kalite strik pou asire yo satisfè estanda endistri ki pi wo yo.Chak inite yo byen teste pou pèfòmans, durability ak fyab, asire yon lavi pwodwi long.Konsepsyon rezistan li pèmèt li kenbe tèt ak kondisyon travay ekstrèm, asire fonksyonalite ekipman san enteripsyon.
Pri konpetitif: Malgre bon jan kalite siperyè yo, MOSFET nou yo gen yon pri trè konpetitif, ki bay ekonomi enpòtan san yo pa konpwomèt pèfòmans.Nou kwè ke tout konsomatè yo ta dwe gen aksè a bon jan kalite pwodwi, ak estrateji pri nou an reflete angajman sa a.
Gwo konpatibilite: MOSFET nou yo konpatib ak yon varyete de sistèm elektwonik, sa ki fè yo yon chwa versatile pou manifaktirè yo ak itilizatè final yo.Li entegre san pwoblèm nan sistèm ki egziste deja, amelyore pèfòmans jeneral san yo pa mande gwo modifikasyon konsepsyon.
Aplikasyon
Konvètè Buck Synchronous Point-of-Chaj segondè frekans pou itilize nan sistèm MB/NB/UMPC/VGA, rezo DC-DC Power Systems, switch chay, sigarèt elektwonik, chajè san fil, motè, dron, ekipman medikal, chajè machin, kontwolè. , Pwodwi Digital, Ti Aparèy Kay, ak Elektwonik Konsomatè.
nimewo materyèl ki koresponn lan
AOS AO4832 AO4838 AO4914,ON NTMS4916N,VISHAY Si4128DY,INFINEON BSO150N03MD G,Sinopower SM4803DSK,dintek DTM4926 DTM4936,ruichips RU30D10H
Paramèt enpòtan
| Senbòl | Paramèt | Rating | Inite yo |
| VDS | Drenaj-Sous Voltage | 30 | V |
| VGS | Gate-Sous Voltage | ± 20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kouran drenaj kontinyèl, VGS @ 10V1 | 9.8 | A |
| ID@TC=70℃ | Kouran drenaj kontinyèl, VGS @ 10V1 | 8.0 | A |
| IDM | Kouran drenaj enpulsyonèl2 | 45 | A |
| EAS | Single Pulse Lavalas Enèji3 | 25 | mJ |
| IAS | Kouran Lavalas | 12 | A |
| PD@TA=25℃ | Dissipasyon pouvwa total4 | 2.0 | W |
| TSTG | Ranje Tanperati Depo | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Operasyon Junction Tanperati Range | -55 a 150 | ℃ |
| Senbòl | Paramèt | Kondisyon | Min. | Typ. | Max. | Inite |
| BVDSS | Drenaj-Sous Pann Voltage | VGS = 0V, ID = 250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Koefisyan Tanperati BVDSS | Referans a 25 ℃, ID = 1mA | --- | 0.034 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Estatik Drenaj-Sous Sou-Rezistans2 | VGS = 10V, ID = 8.5A | --- | 13.5 | 18 | mΩ |
| VGS = 4.5V, ID = 5A | --- | 18 | 25 | |||
| VGS(th) | Pòtay Limit Voltage | VGS = VDS, ID = 250uA | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Koefisyan Tanperati | --- | -5.8 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Kouran Drenaj-Sous Flit | VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ± 100 | nA |
| gfs | Transkonduktans Avant | VDS = 5V, ID = 8A | --- | 9 | --- | S |
| Rg | Rezistans pòtay | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.8 | 2.9 | Ω |
| Qg | Chaj pòtay total (4.5V) | VDS=15V, VGS=4.5V, ID=8.8A | --- | 6 | 8.4 | nC |
| Qgs | Pòtay-Sous chaj | --- | 1.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drenaj chaj | --- | 2.5 | --- | ||
| Td(sou) | Tan delè vire-sou | VDD=15V, VGEN=10V, RG=6Ω ID = 1A,RL = 15Ω | --- | 7.5 | 9.8 | ns |
| Tr | Leve tan | --- | 9.2 | 19 | ||
| Td (off) | Tan delè pou fèmen | --- | 19 | 34 | ||
| Tf | Tan Otòn | --- | 4.2 | 8 | ||
| Ciss | Antre kapasite | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 590 | 701 | pF |
| Coss | Sòti kapasite | --- | 98 | 112 | ||
| Crss | Ranvèse kapasite transfè | --- | 59 | 91 |
