WST8205 Doub N-chanèl 20V 5.8A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Deskripsyon jeneral
WST8205 a se yon gwo pèfòmans tranche N-Ch MOSFET ak dansite selil ekstrèmman wo, ki bay ekselan RDSON ak chaj pòtay pou pifò ti pouvwa chanje ak aplikasyon pou chanje chaj. WST8205 a satisfè kondisyon RoHS ak Green Product ak apwobasyon konplè fyab fonksyonèl.
Karakteristik
Teknoloji avanse nou an enkòpore karakteristik inovatè ki mete aparèy sa a apa de lòt moun sou mache a. Avèk gwo tranche dansite selil, teknoloji sa a pèmèt pi gwo entegrasyon konpozan yo, ki mennen nan amelyore pèfòmans ak efikasite. Youn nan avantaj remakab nan aparèy sa a se chaj pòtay ki ba li yo. Kòm yon rezilta, li mande enèji minim pou chanje ant eta li yo ak eta yo, sa ki lakòz konsomasyon pouvwa redwi ak efikasite jeneral amelyore. Karakteristik chaj ba pòtay sa a fè li yon chwa ideyal pou aplikasyon ki mande pou chanje gwo vitès ak kontwòl egzak. Anplis de sa, aparèy nou an briye nan diminye efè Cdv / dt. Cdv/dt, oswa pousantaj chanjman nan vòltaj drenaj-a-sous sou tan, ka lakòz efè endezirab tankou Spikes vòltaj ak entèferans elektwomayetik. Pa efektivman minimize efè sa yo, aparèy nou an asire operasyon serye ak ki estab, menm nan anviwònman mande ak dinamik. Apa de gwo abilite teknik li yo, aparèy sa a se tou zanmitay anviwònman an. Li fèt ak dirab nan tèt ou, pran an konsiderasyon faktè tankou efikasite pouvwa ak lonjevite. Lè li opere ak efikasite enèji pli ekstrèm, aparèy sa a minimize anprint kabòn li yo epi li kontribye nan yon avni ki pi vèt. Avèk konsepsyon zanmitay anviwònman an, li non sèlman bay pèfòmans siperyè ak efikasite, men tou li aliman ak bezwen an k ap grandi pou solisyon dirab nan mond jodi a.
Aplikasyon
Gwo Frekans Point-of-Chaj Synchrone Ti pouvwa chanje pou MB/NB/UMPC/VGA Networking DC-DC Power System, Elektwonik otomobil, limyè dirije, odyo, pwodwi dijital, ti aparèy nan kay la, elektwonik konsomatè, tablo pwoteksyon.
nimewo materyèl ki koresponn lan
AOS AO6804A,NXP PMDT290UNE,PANJIT PJS6816,Sinopower SM2630DSC,dintek DTS5440,DTS8205,DTS5440,DTS8205,RU8205C6.
Paramèt enpòtan
Senbòl | Paramèt | Rating | Inite yo |
VDS | Drenaj-Sous Voltage | 20 | V |
VGS | Gate-Sous Voltage | ±12 | V |
ID@Tc=25℃ | Kouran drenaj kontinyèl, VGS @ 4.5V1 | 5.8 | A |
ID@Tc=70℃ | Kouran drenaj kontinyèl, VGS @ 4.5V1 | 3.8 | A |
IDM | Kouran drenaj enpulsyonèl2 | 16 | A |
PD@TA=25℃ | Dissipasyon pouvwa total3 | 2.1 | W |
TSTG | Ranje Tanperati Depo | -55 a 150 | ℃ |
TJ | Operasyon Junction Tanperati Range | -55 a 150 | ℃ |
Senbòl | Paramèt | Kondisyon yo | Min. | Typ. | Max. | Inite |
BVDSS | Drenaj-Sous Pann Voltage | VGS = 0V, ID = 250uA | 20 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | Koefisyan Tanperati BVDSS | Referans a 25 ℃, ID = 1mA | --- | 0.022 | --- | V/℃ |
RDS(ON) | Estatik Drenaj-Sous Sou-Rezistans2 | VGS = 4.5V, ID = 5.5A | --- | 24 | 28 | mΩ |
VGS = 2.5V, ID = 3.5A | --- | 30 | 45 | |||
VGS(th) | Pòtay Limit Voltage | VGS = VDS, ID = 250uA | 0.5 | 0.7 | 1.2 | V |
△VGS(th) | VGS(th) Koefisyan Tanperati | --- | -2.33 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Kouran Drenaj-Sous Flit | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ± 100 | nA |
gfs | Transkonduktans Avant | VDS=5V, ID=5A | --- | 25 | --- | S |
Rg | Rezistans pòtay | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.5 | 3 | Ω |
Qg | Chaj pòtay total (4.5V) | VDS=10V, VGS=4.5V, ID=5.5A | --- | 8.3 | 11.9 | nC |
Qgs | Gate-Sous Charge | --- | 1.4 | 2.0 | ||
Qgd | Gate-Drenaj chaj | --- | 2.2 | 3.2 | ||
Td(sou) | Tan delè vire-sou | VDD=10V, VGEN=4.5V, RG=6Ω ID = 5A, RL = 10Ω | --- | 5.7 | 11.6 | ns |
Tr | Leve tan | --- | 34 | 63 | ||
Td (off) | Tan delè pou fèmen | --- | 22 | 46 | ||
Tf | Tan Otòn | --- | 9.0 | 18.4 | ||
Ciss | Antre kapasite | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 625 | 889 | pF |
Coss | Sòti kapasite | --- | 69 | 98 | ||
Crss | Ranvèse kapasite transfè | --- | 61 | 88 |