WST8205 Doub N-chanèl 20V 5.8A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

pwodwi yo

WST8205 Doub N-chanèl 20V 5.8A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

deskripsyon kout:


  • Nimewo Modèl:WST8205
  • BVDSS:20V
  • RDSON:24mΩ
  • ID:5.8A
  • Chèn:Doub N-chanèl
  • Pake:SOT-23-6L
  • Pwodwi pandan ete:WST8205 MOSFET la opere nan 20 vòlt, kenbe 5.8 ampè aktyèl, e li gen yon rezistans nan 24 miliohms.MOSFET a konsiste de yon Doub N-Chanèl epi li pake nan SOT-23-6L.
  • Aplikasyon:Elektwonik otomobil, limyè ki ap dirije, odyo, pwodwi dijital, ti aparèy nan kay la, elektwonik konsomatè, ankadreman pwoteksyon.
  • Pwodwi detay

    Aplikasyon

    Tags pwodwi

    Deskripsyon jeneral

    WST8205 a se yon gwo pèfòmans tranche N-Ch MOSFET ak dansite selil ekstrèmman wo, ki bay ekselan RDSON ak chaj pòtay pou pifò ti pouvwa chanje ak aplikasyon pou chanje chaj.WST8205 a satisfè kondisyon RoHS ak Green Product ak apwobasyon konplè fyab fonksyonèl.

    Karakteristik

    Teknoloji avanse nou an enkòpore karakteristik inovatè ki mete aparèy sa a apa de lòt moun sou mache a.Avèk gwo tranche dansite selil, teknoloji sa a pèmèt pi gwo entegrasyon konpozan yo, ki mennen nan amelyore pèfòmans ak efikasite. Youn nan avantaj remakab nan aparèy sa a se chaj pòtay ki ba li yo.Kòm yon rezilta, li mande enèji minim pou chanje ant eta li yo ak eta yo, sa ki lakòz konsomasyon pouvwa redwi ak efikasite jeneral amelyore.Karakteristik chaj ba pòtay sa a fè li yon chwa ideyal pou aplikasyon ki mande pou chanje gwo vitès ak kontwòl egzak. Anplis de sa, aparèy nou an briye nan diminye efè Cdv / dt.Cdv/dt, oswa pousantaj chanjman nan vòltaj drenaj-a-sous sou tan, ka lakòz efè endezirab tankou Spikes vòltaj ak entèferans elektwomayetik.Pa efektivman minimize efè sa yo, aparèy nou an asire operasyon serye ak ki estab, menm nan anviwònman mande ak dinamik. Apa de gwo abilite teknik li yo, aparèy sa a se tou zanmitay anviwònman an.Li fèt ak dirab nan tèt ou, pran an konsiderasyon faktè tankou efikasite pouvwa ak lonjevite.Lè li opere ak efikasite enèji pli ekstrèm, aparèy sa a minimize anprint kabòn li yo epi li kontribye nan yon avni ki pi vèt.Avèk konsepsyon zanmitay anviwònman an, li non sèlman bay pèfòmans siperyè ak efikasite, men tou li aliman ak bezwen an k ap grandi pou solisyon dirab nan mond jodi a.

    Aplikasyon

    Gwo Frekans Point-of-Chaj Synchrone Ti pouvwa chanje pou MB/NB/UMPC/VGA Networking DC-DC Power System, Elektwonik otomobil, limyè dirije, odyo, pwodwi dijital, ti aparèy nan kay la, elektwonik konsomatè, tablo pwoteksyon.

    nimewo materyèl ki koresponn lan

    AOS AO6804A,NXP PMDT290UNE,PANJIT PJS6816,Sinopower SM2630DSC,dintek DTS5440,DTS8205,DTS5440,DTS8205,RU8205C6.

    Paramèt enpòtan

    Senbòl Paramèt Rating Inite yo
    VDS Drenaj-Sous Voltage 20 V
    VGS Gate-Sous Voltage ±12 V
    ID@Tc=25℃ Kouran drenaj kontinyèl, VGS @ 4.5V1 5.8 A
    ID@Tc=70℃ Kouran drenaj kontinyèl, VGS @ 4.5V1 3.8 A
    IDM Kouran drenaj enpulsyonèl2 16 A
    PD@TA=25℃ Dissipasyon pouvwa total3 2.1 W
    TSTG Ranje Tanperati Depo -55 a 150
    TJ Operasyon Junction Tanperati Range -55 a 150
    Senbòl Paramèt Kondisyon Min. Typ. Max. Inite
    BVDSS Drenaj-Sous Pann Voltage VGS = 0V, ID = 250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Koefisyan Tanperati BVDSS Referans a 25 ℃, ID = 1mA --- 0.022 --- V/℃
    RDS(ON) Estatik Drenaj-Sous Sou-Rezistans2 VGS = 4.5V, ID = 5.5A --- 24 28
           
        VGS = 2.5V, ID = 3.5A --- 30 45  
    VGS(th) Pòtay Limit Voltage VGS = VDS, ID = 250uA 0.5 0.7 1.2 V
               
    △VGS(th) VGS(th) Koefisyan Tanperati   --- -2.33 --- mV/℃
    IDSS Kouran Drenaj-Sous Flit VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS Gate-Source Leakage Current VGS=±12V, VDS=0V --- --- ± 100 nA
    gfs Transkonduktans Avant VDS=5V, ID=5A --- 25 --- S
    Rg Rezistans pòtay VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.5 3 Ω
    Qg Chaj pòtay total (4.5V) VDS=10V, VGS=4.5V, ID=5.5A --- 8.3 11.9 nC
    Qgs Pòtay-Sous chaj --- 1.4 2.0
    Qgd Gate-Drenaj chaj --- 2.2 3.2
    Td(sou) Tan delè vire-sou VDD=10V, VGEN=4.5V, RG=6Ω

    ID = 5A, RL = 10Ω

    --- 5.7 11.6 ns
    Tr Leve tan --- 34 63
    Td (off) Tan delè pou fèmen --- 22 46
    Tf Tan Otòn --- 9.0 18.4
    Ciss Antre kapasite VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz --- 625 889 pF
    Coss Sòti kapasite --- 69 98
    Crss Ranvèse kapasite transfè --- 61 88

  • Previous:
  • Pwochen:

  • Ekri mesaj ou la a epi voye l ba nou