Konbyen ou konnen sou paramèt MOSFET? OLUKEY analize li pou ou

"MOSFET" se Abreviyasyon metal oksid Semicoductor Field Effect Transistor. Li se yon aparèy ki fèt ak twa materyèl: metal, oksid (SiO2 oswa SiN) ak semi-conducteurs. MOSFET se youn nan aparèy ki pi fondamantal nan jaden semi-conducteurs. Kit se nan konsepsyon IC oswa aplikasyon sikwi nivo tablo, li trè vaste. Paramèt prensipal MOSFET yo enkli ID, IDM, VGSS, V(BR)DSS, RDS(on), VGS(th), elatriye èske w konnen sa yo? Konpayi OLUKEY, kòm yon winsok Taiwanè mwayen ak ba-vòltaj.MOSFETfounisè sèvis ajan, gen yon ekip debaz ki gen prèske 20 ane eksperyans pou eksplike w an detay paramèt divès kalite MOSFET!

Figi: WINSOK MOSFETWSG03N10 fèy spesifikasyon

Deskripsyon siyifikasyon MOSFET paramèt yo

1. Paramèt ekstrèm:

ID: Maksimòm drenaj-sous aktyèl. Li refere a maksimòm aktyèl la pèmèt yo pase ant drenaj la ak sous la lè tranzistò efè jaden an ap opere nòmalman. Aktyèl fonksyònman tranzistò efè jaden an pa ta dwe depase ID. Paramèt sa a diminye kòm tanperati junction ogmante.

IDM: Maksimòm kouran enpulsyonèl drenaj-sous. Paramèt sa a ap diminye kòm tanperati a junction ogmante, reflete yon rezistans enpak ak tou ki gen rapò ak tan an batman kè. Si paramèt sa a twò piti, sistèm nan ka gen risk pou yo kraze ak kouran pandan tès OCP.

PD: Maksimòm pouvwa gaye. Li refere a maksimòm drenaj-sous pouvwa dissipation pèmèt san yo pa deteryore pèfòmans nan tranzistò efè jaden an. Lè yo itilize, konsomasyon pouvwa aktyèl la nan FET a ta dwe mwens pase sa yo ki nan PDSM a epi kite yon maj sèten. Paramèt sa a jeneralman diminye kòm tanperati a junction ogmante

VDSS: Maksimòm drenaj-sous kenbe tèt ak vòltaj. Vòltaj drenaj-sous la lè aktyèl drenaj la ap koule tankou dlo rive nan yon valè espesifik (onn sevè) anba yon tanperati espesifik ak pòtay-sous sikwi kout. Voltaj drenaj-sous la nan ka sa a yo rele tou vòltaj pann lavalas. VDSS gen yon koyefisyan tanperati pozitif. Nan -50 ° C, VDSS se apeprè 90% nan sa a 25 ° C. Akòz alokasyon an anjeneral kite nan pwodiksyon nòmal, vòltaj la pann lavalas nan MOSFET se toujou pi gran pase vòltaj nominal nominal la.

OLUKEYKonsèy Cho: Pou asire fyab pwodwi, anba pi move kondisyon travay yo, li rekòmande ke vòltaj k ap travay la pa ta dwe depase 80 ~ 90% nan valè nominal la.

VGSS: Maksimòm pòtay-sous kenbe tèt ak vòltaj. Li refere a valè VGS lè aktyèl ranvèse ant pòtay ak sous la kòmanse ogmante sevè. Depase valè vòltaj sa a pral lakòz pann dielectric nan kouch oksid pòtay la, ki se yon pann destriktif ak irevokabl.

TJ: Maksimòm tanperati junction fonksyònman. Anjeneral li se 150 ℃ oswa 175 ℃. Anba kondisyon travay yo nan konsepsyon aparèy, li nesesè pou fè pou evite depase tanperati sa a epi kite yon sèten maj.

TSTG: Ranje tanperati depo

De paramèt sa yo, TJ ak TSTG, kalibre ranje tanperati junction ki pèmèt anviwònman k ap travay ak depo aparèy la. Ranje tanperati sa a fikse pou satisfè kondisyon minimòm lavi fonksyònman aparèy la. Si aparèy la asire yo opere nan ranje tanperati sa a, lavi k ap travay li yo pral pwolonje anpil.

2. Paramèt estatik

Kondisyon tès MOSFET yo jeneralman 2.5V, 4.5V, ak 10V.

V (BR) DSS: Drenaj-sous pann vòltaj. Li refere a vòltaj maksimòm drenaj-sous ke tranzistò efè jaden an ka kenbe tèt ak lè VGS vòltaj pòtay-sous la se 0. Sa a se yon paramèt limite, ak vòltaj la opere aplike nan tranzistò efè jaden an dwe mwens pase V (BR) DSS. Li gen karakteristik tanperati pozitif. Se poutèt sa, valè paramèt sa a anba kondisyon tanperati ki ba yo ta dwe pran kòm yon konsiderasyon sekirite.

△V(BR)DSS/△Tj: Tanperati koyefisyan vòltaj pann drenaj-sous, jeneralman 0.1V/℃

RDS(on): Anba sèten kondisyon VGS (anjeneral 10V), tanperati junction ak aktyèl drenaj, rezistans maksimòm ant drenaj ak sous lè MOSFET la vire. Li se yon paramèt trè enpòtan ki detèmine pouvwa a konsome lè MOSFET la vire sou. Paramèt sa a jeneralman ogmante kòm tanperati junction ogmante. Se poutèt sa, yo ta dwe itilize valè paramèt sa a nan pi wo tanperati junction opere pou kalkil pèt ak gout vòltaj.

VGS(th): vire-sou vòltaj (vòltaj papòt). Lè VGS vòltaj kontwòl pòtay ekstèn depase VGS(th), kouch sifas envèrsyon nan drenaj la ak rejyon sous fòme yon kanal konekte. Nan aplikasyon yo, vòltaj pòtay la lè ID egal a 1 mA anba kondisyon an drenaj kout-sikwi yo souvan rele vòltaj la vire-sou. Paramèt sa a jeneralman diminye kòm tanperati junction ogmante

IDSS: satire drenaj-sous aktyèl, drenaj-sous aktyèl la lè vòltaj la pòtay VGS = 0 ak VDS se yon valè sèten. Jeneralman nan nivo microamp

IGSS: pòtay-sous kondwi aktyèl oswa aktyèl ranvèse. Depi enpedans antre MOSFET a trè gwo, IGSS se jeneralman nan nivo nanoamp.

3. Paramèt dinamik

gfs: transkonduktans. Li refere a rapò a nan chanjman an nan aktyèl pwodiksyon drenaj ak chanjman nan vòltaj pòtay-sous. Li se yon mezi nan kapasite nan vòltaj pòtay-sous kontwole aktyèl drenaj. Tanpri gade nan tablo a pou relasyon transfè ant gfs ak VGS.

Qg: Total kapasite chaje pòtay. MOSFET se yon aparèy kondwi vòltaj-kalite. Pwosesis kondwi a se pwosesis etablisman vòltaj pòtay la. Sa a se reyalize pa chaje kapasite ki genyen ant sous pòtay ak drenaj pòtay. Aspè sa a pral diskite an detay anba a.

Qgs: Gate sous chaje kapasite

Qgd: chaj pòtay-a-drenaj (pran an kont efè Miller). MOSFET se yon aparèy kondwi vòltaj-kalite. Pwosesis kondwi a se pwosesis etablisman vòltaj pòtay la. Sa a se reyalize pa chaje kapasite ki genyen ant sous pòtay ak drenaj pòtay.

Td(on): tan reta kondiksyon. Tan ki soti nan lè vòltaj opinyon an monte a 10% jiskaske VDS desann nan 90% anplitid li.

Tr: tan monte, tan an pou vòltaj pwodiksyon VDS la tonbe soti nan 90% a 10% nan anplitid li yo.

Td (off): Tan reta fèmen, tan ki soti nan lè vòltaj la antre desann a 90% nan lè VDS leve a 10% nan vòltaj fèmen li yo.

Tf: Tan tonbe, tan pou vòltaj pwodiksyon VDS la monte soti nan 10% a 90% nan anplitid li yo.

Ciss: Antre kapasite, kout-sikwi drenaj la ak sous, ak mezire kapasite ki genyen ant pòtay la ak sous la ak yon siyal AC. Ciss = CGD + CGS (CDS kout sikwi). Li gen yon enpak dirèk sou reta nan aparèy la vire sou ak fèmen.

Coss: Kapasite pwodiksyon, kout-sikwi pòtay la ak sous, ak mezire kapasite ki genyen ant drenaj la ak sous la ak yon siyal AC. Coss = CDS +CGD

Crss: Kapasite transmisyon ranvèse. Avèk sous la ki konekte nan tè a, kapasite ki mezire ant drenaj la ak pòtay Crss = CGD. Youn nan paramèt enpòtan yo pou switch se tan an monte ak tonbe. Crss = CGD

Kapasite entè-electrode ak MOSFET pwovoke kapasite nan MOSFET yo divize an kapasite opinyon, kapasite pwodiksyon ak kapasite fidbak pa pifò manifaktirè yo. Valè yo site yo se pou yon vòltaj fiks drenaj-a-sous. Kapasite sa yo chanje kòm vòltaj drenaj-sous la chanje, ak valè kapasite a gen yon efè limite. Valè kapasite D 'sèlman bay yon endikasyon apwoksimatif sou chaj ki nesesè nan kous chofè a, tandiske enfòmasyon chaje pòtay la pi itil. Li endike kantite enèji pòtay la dwe chaje pou rive nan yon vòltaj espesifik pòtay-a-sous.

4. lavalas pann karakteristik paramèt

Paramèt karakteristik pann lavalas la se yon endikatè kapasite MOSFET pou kenbe tèt ak survoltaj nan eta koupe a. Si vòltaj la depase vòltaj limit drenaj-sous la, aparèy la pral nan yon eta lavalas.

EAS: Enèji pann lavalas batman sèl. Sa a se yon paramèt limit, ki endike maksimòm enèji pann lavalas ke MOSFET la ka kenbe tèt ak.

IAR: kouran lavalas

ZÒRÈ: Enèji kraze lavalas repete

5. Paramèt dyòd nan vivo

IS: Kouran maksimòm kontinyèl gratis (ki soti nan sous)

ISM: batman kè maksimòm kouran libre (ki soti nan sous)

VSD: gout vòltaj pi devan

Trr: tan rekiperasyon ranvèse

Qrr: Rekiperasyon chaj ranvèse

Ton: Avant kondiksyon tan. (Fondamantalman neglijab)

WINSOK MOSFET lavalas pann karakteristik paramèt

MOSFET vire sou tan ak turn-off definisyon tan

Pandan pwosesis aplikasyon an, karakteristik sa yo souvan bezwen konsidere:

1. Karakteristik koyefisyan tanperati pozitif nan V (BR) DSS. Karakteristik sa a, ki diferan de aparèy bipolè, fè yo pi serye kòm tanperati operasyon nòmal ogmante. Men, ou bezwen tou peye atansyon sou fyab li yo pandan demaraj frèt ki ba-tanperati.

2. Negatif tanperati koyefisyan karakteristik V(GS)th. Potansyèl papòt pòtay la ap diminye nan yon sèten limit kòm tanperati junction la ogmante. Gen kèk radyasyon tou ki pral diminye potansyèl papòt sa a, petèt menm pi ba pase 0 potansyèl. Karakteristik sa a mande pou enjenyè yo peye atansyon sou entèferans ak fo deklanche MOSFET yo nan sitiyasyon sa yo, espesyalman pou aplikasyon MOSFET ak potansyèl papòt ki ba. Akòz karakteristik sa a, li pafwa nesesè pou konsepsyon potansyèl la koupe-vòltaj nan chofè a pòtay nan yon valè negatif (ki refere a N-tip, P-kalite ak sou sa) pou fè pou evite entèferans ak fo deklanche.

3.Pozitif koyefisyan tanperati karakteristik VDSon/RDSo. Karakteristik ke VDSon/RDSon ogmante yon ti kras kòm tanperati a junction ogmante fè li posib dirèkteman itilize MOSFETs an paralèl. Aparèy bipolè yo se jis opoze a nan sans sa a, kidonk itilize yo nan paralèl vin byen konplike. RDSon ap ogmante tou yon ti kras kòm ID ogmante. Karakteristik sa a ak karakteristik tanperati pozitif nan junction ak sifas RDSon pèmèt MOSFET pou fè pou evite pann segondè tankou aparèy bipolè. Sepandan, li ta dwe remake ke efè a nan karakteristik sa a se byen limite. Lè yo itilize paralèl, pouse-rale oswa lòt aplikasyon, ou pa ka konplètman konte sou oto-règleman nan karakteristik sa a. Gen kèk mezi fondamantal ki toujou nesesè. Karakteristik sa a tou eksplike ke pèt kondiksyon vin pi gwo nan tanperati ki wo. Se poutèt sa, yo ta dwe peye atansyon espesyal nan seleksyon an nan paramèt lè w ap kalkile pèt.

4. Karakteristik negatif tanperati koyefisyan ID, konpreyansyon paramèt MOSFET ak karakteristik prensipal li ID ap diminye anpil kòm tanperati junction ogmante. Karakteristik sa a fè li souvan nesesè yo konsidere paramèt ID li yo nan tanperati ki wo pandan konsepsyon.

5. Karakteristik koyefisyan tanperati negatif nan kapasite lavalas IER/EAS. Apre tanperati a junction ogmante, byenke MOSFET a pral gen yon pi gwo V(BR)DSS, li ta dwe remake ke EAS a pral siyifikativman redwi. Sa vle di, kapasite li pou kenbe tèt ak lavalas anba kondisyon tanperati ki wo se pi fèb pase sa nan tanperati nòmal.

6. Kapasite kondiksyon ak pèfòmans rekiperasyon ranvèse nan dyod parazit la nan MOSFET la pa pi bon pase sa yo ki nan dyod òdinè. Li pa espere yo dwe itilize kòm konpayi asirans prensipal aktyèl la nan bouk la nan konsepsyon an. Dyòd bloke yo souvan konekte nan seri pou invalid dyod parazit nan kò a, ak dyod paralèl adisyonèl yo itilize pou fòme yon konpayi asirans sikwi elektrik. Sepandan, li ka konsidere kòm yon konpayi asirans nan ka a nan kondiksyon kout tèm oswa kèk ti kondisyon aktyèl tankou redresman synchrone.

7. Ogmantasyon rapid nan potansyèl drenaj la ka lakòz spurious-deklanche nan kondwi a pòtay, kidonk posibilite sa a bezwen yo dwe konsidere nan aplikasyon pou gwo dVDS / dt (wo frekans sikui switch rapid).