Gen anpil varyasyon nan senbòl sikwi yo souvan itilize pou MOSFET yo. Konsepsyon ki pi komen an se yon liy dwat ki reprezante kanal la, de liy pèpandikilè ak kanal la ki reprezante sous la ak drenaj la, ak yon liy ki pi kout paralèl ak kanal la sou bò gòch ki reprezante pòtay la. Pafwa liy dwat ki reprezante kanal la ranplase tou pa yon liy kase pou fè distenksyon ant mòd amelyorasyonmosfet oswa rediksyon mòd mosfet, ki tou divize an N-chanèl MOSFET ak P-chanèl MOSFET de kalite senbòl sikwi jan yo montre nan figi a (direksyon flèch la diferan).
MOSFET pouvwa yo travay nan de fason prensipal:
(1) Lè yo ajoute yon vòltaj pozitif nan D ak S (drenaj pozitif, sous negatif) ak UGS = 0, junction PN nan rejyon P kò a ak rejyon drenaj N an gen patipri ranvèse, epi pa gen okenn aktyèl pase ant D. ak S. Si yo ajoute yon UGS vòltaj pozitif ant G ak S, pa gen okenn kouran pòtay ap koule paske pòtay la izole, men yon vòltaj pozitif nan pòtay la pral pouse twou yo lwen rejyon an P anba a, ak elektwon yo konpayi asirans minorite yo pral. dwe atire nan sifas la rejyon P Lè UGS la pi gran pase yon sèten vòltaj UT, konsantrasyon nan elèktron sou sifas la nan rejyon an P anba pòtay la pral depase konsantrasyon nan twou, konsa fè kouch nan P-kalite semiconductor antimodèl N-kalite semi-conducteurs. ; kouch antipattern sa a fòme yon kanal N-kalite ant sous la ak drenaj, se konsa ke junction PN a disparèt, sous la ak drenaj kondiktif, ak yon drenaj aktyèl ID koule nan drenaj la. UT yo rele vòltaj la vire oswa vòltaj papòt la, ak plis UGS depase UT, se plis kondiktif kapasite konduktif la, ak pi gwo ID la se. Plis UGS depase UT, pi fò konduktiviti a, se pi gwo ID la.
(2) Lè D, S plis vòltaj negatif (sous pozitif, drenaj negatif), junction PN a se pi devan, ekivalan a yon dyod entèn ranvèse (pa gen yon karakteristik repons rapid), se sa ki, la.MOSFET pa gen kapasite bloke ranvèse, yo ka konsidere kòm yon konpozan kondiksyon envès.
Pa laMOSFET Prensip operasyon ka wè, kondiksyon li yo sèlman yon sèl transpòtè polarite ki enplike nan kondiktè a, kidonk li te ye tou kòm transistor unipolè. Se kondwi MOSFET souvan ki baze sou ekipman pou pouvwa a IC ak paramèt MOSFET yo chwazi sikwi ki apwopriye a, MOSFET se jeneralman yo itilize pou chanje. sikwi kondwi ekipman pou pouvwa. Lè w ap desine yon ekipman pou pouvwa pou chanje lè l sèvi avèk yon MOSFET, pifò moun konsidere sou-rezistans, vòltaj maksimòm, ak aktyèl maksimòm MOSFET la. Sepandan, moun trè souvan sèlman konsidere faktè sa yo, se konsa ke kous la ka travay byen, men li se pa yon solisyon konsepsyon bon. Pou yon konsepsyon plis detay, MOSFET a ta dwe konsidere tou enfòmasyon paramèt pwòp li yo. Pou yon MOSFET definitif, kous kondwi li yo, aktyèl la pik nan pwodiksyon an kondwi, elatriye, pral afekte pèfòmans nan chanje nan MOSFET la.
Tan poste: Me-17-2024
