D-FET se nan patipri nan pòtay 0 lè egzistans lan nan chanèl, ka fè FET la; E-FET se nan patipri pòtay 0 lè pa gen okenn kanal, pa ka fè FET la. de kalite FET sa yo gen karakteristik pwòp yo ak itilizasyon yo. An jeneral, amelyore FET nan gwo vitès, sikui ki ba-pouvwa gen anpil valè; ak aparèy sa a ap travay, li se polarite a patipri pòtay voltaj ak drenaj vòltaj nan menm bagay la tou, li pi pratik nan konsepsyon sikwi.
Sa yo rele amelyore vle di: lè VGS = 0 tib se yon eta koupe, plis VGS kòrèk la, majorite transpòtè yo atire pòtay lavil la, konsa "amelyore" transpòtè yo nan rejyon an, fòme yon kanal kondiktif. n-chanèl amelyore MOSFET se fondamantalman yon topoloji gòch-dwa simetrik, ki se semi-conducteurs P-type sou jenerasyon an nan yon kouch izolasyon fim SiO2. Li jenere yon kouch posibilite nan fim SiO2 sou semi-kondiktè a P-kalite, ak Lè sa a, difize de rejyon trè dope N-tip pafotolitografi, ak mennen elektwòd soti nan rejyon an N-kalite, youn pou drenaj la D ak youn pou sous la S. Yon kouch metal aliminyòm plake sou kouch nan posibilite ant sous la ak drenaj la kòm pòtay la G. Lè VGS = 0 V , Gen byen kèk dyod ak dyod dèyè-a-tounen ant drenaj la ak sous la ak vòltaj ki genyen ant D ak S pa fòme yon aktyèl ant D ak S. Kouran ki genyen ant D ak S pa fòme pa vòltaj la aplike. .
Lè yo ajoute vòltaj pòtay la, si 0 <VGS <VGS(th), atravè jaden elektrik kapasitif ki te fòme ant pòtay la ak substra a, twou polyon nan semi-conducteurs P-type tou pre anba pòtay la repouse anba, ak yon kouch rediksyon mens nan iyon negatif parèt; an menm tan an, li pral atire oligons yo ladan l pou avanse pou pi nan kouch sifas la, men nimewo a se limite ak ensifizan yo fòme yon kanal konduktif ki kominike drenaj la ak sous, kidonk li se toujou ensifizan Fòmasyon nan drenaj aktyèl ID. plis ogmantasyon VGS, lè VGS > VGS (th) (VGS (th) yo rele vòltaj vire-sou), paske nan moman sa a vòltaj pòtay la te relativman fò, nan kouch sifas semi-conducteurs P-kalite toupre anba a nan pòtay ki anba a rasanbleman an plis. elektwon, ou ka fòme yon tranche, drenaj la ak sous kominikasyon an. Si yo ajoute vòltaj sous drenaj la nan moman sa a, aktyèl drenaj la ka fòme ID. elektwon nan kanal la kondiktif ki te fòme anba pòtay la, paske nan twou a konpayi asirans ak polarite a semi-conducteurs P-kalite se opoze, kidonk li rele kouch anti-kalite. Kòm VGS ap kontinye ogmante, ID ap kontinye ogmante. ID = 0 nan VGS = 0V, ak aktyèl la drenaj rive sèlman apre VGS> VGS (th), kidonk, sa a ki kalite MOSFET yo rele MOSFET amelyorasyon.
Relasyon kontwòl VGS sou aktyèl drenaj ka dekri pa koub iD = f(VGS(th))|VDS=const, ki rele koub karakteristik transfè a, ak grandè pant koub karakteristik transfè a, gm, reflete kontwòl aktyèl drenaj pa vòltaj sous pòtay la. grandè gm a se mA/V, kidonk gm yo rele tou transkonduktans la.
Tan pòs: Aug-04-2024
