Evolisyon MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) se yon pwosesis ki plen inovasyon ak zouti, epi devlopman li yo ka rezime nan etap kle sa yo:
I. Konsèp bonè ak eksplorasyon
Konsèp pwopoze:Ka envansyon MOSFET la ka remonte tounen osi lwen ke ane 1830 yo, lè konsèp nan tranzistò efè jaden an te prezante pa Lilienfeld Alman an. Sepandan, tantativ pandan peryòd sa a pa t reyisi nan reyalize yon MOSFET pratik.
Yon etid preliminè:Imedyatman, Bell Labs nan Shaw Teki a (Shockley) ak lòt moun yo te eseye tou etidye envansyon nan tib efè jaden, men menm bagay la tou echwe pou pou yo reyisi. Sepandan, rechèch yo te mete fondasyon pou devlopman pita nan MOSFET.
II. Nesans ak premye devlopman MOSFET yo
Dekouvèt kle:Nan lane 1960, Kahng ak Atalla aksidantèlman envante tranzistò MOS jaden efè (MOS tranzistò pou kout) nan pwosesis pou amelyore pèfòmans nan tranzistò bipolè ak diyoksid Silisyòm (SiO2). Envansyon sa a te make antre fòmèl MOSFET yo nan endistri manifakti sikwi entegre.
Amelyorasyon pèfòmans:Avèk devlopman teknoloji pwosesis semi-conducteurs, pèfòmans MOSFET yo ap kontinye amelyore. Pou egzanp, vòltaj fonksyònman MOS pouvwa segondè-vòltaj ka rive nan 1000V, valè rezistans nan MOS ki ba sou rezistans se sèlman 1 ohm, ak frekans nan fonksyone varye ant DC ak plizyè megahertz.
III. Wide aplikasyon MOSFET ak inovasyon teknolojik
Lajman itilize:MOSFET yo lajman itilize nan divès kalite aparèy elektwonik, tankou mikro, memwa, sikui lojik, elatriye, paske nan pèfòmans ekselan yo. Nan aparèy elektwonik modèn, MOSFET yo se youn nan eleman endispansab yo.
Inovasyon teknolojik:Yo nan lòd yo satisfè kondisyon ki nan pi wo frekans opere ak pi wo nivo pouvwa, IR devlope MOSFET nan premye pouvwa. imedyatman, anpil nouvo kalite aparèy pouvwa yo te prezante, tankou IGBTs, GTOs, IPMs, elatriye, epi yo te pi plis ak plis lajman itilize nan jaden ki gen rapò.
Inovasyon materyèl:Avèk avansman teknoloji, nouvo materyèl yo ap eksplore pou fabwikasyon MOSFET yo; pou egzanp, materyèl carbure Silisyòm (SiC) yo ap kòmanse resevwa atansyon ak rechèch akòz pwopriyete siperyè fizik yo.SiC materyèl yo gen pi wo konduktiviti tèmik ak Pleasant entèdi konpare ak materyèl Si konvansyonèl yo, ki detèmine pwopriyete ekselan yo tankou gwo dansite aktyèl, segondè. fòs jaden pann, ak tanperati opere segondè.
Katriyèm, teknoloji dènye kri MOSFET a ak direksyon devlopman
Doub tranzistò pòtay:Yo eseye plizyè teknik pou fè tranzistò pòtay doub pou amelyore pèfòmans MOSFET yo. Doub pòtay MOS tranzistò yo gen pi bon shrinkability konpare ak pòtay sèl, men shrinkability yo toujou limite.
Kout efè tranche:Yon direksyon devlopman enpòtan pou MOSFET yo se rezoud pwoblèm nan nan efè a kout-chanèl. Efè a kout-chanèl pral limite amelyorasyon an plis nan pèfòmans nan aparèy, kidonk li nesesè simonte pwoblèm sa a pa diminye pwofondè nan junction nan rejyon yo sous ak drenaj, ak ranplase sous la ak drenaj junctions PN ak metal-semiconductor kontak.
An rezime, evolisyon MOSFET yo se yon pwosesis soti nan konsèp nan aplikasyon pratik, soti nan amelyorasyon pèfòmans nan inovasyon teknolojik, ak soti nan eksplorasyon materyèl nan devlopman nan teknoloji dènye kri. Avèk devlopman kontinyèl nan syans ak teknoloji, MOSFET yo ap kontinye jwe yon wòl enpòtan nan endistri elektwonik la nan lavni.
Tan pòs: 28-Sep 2024
