Paramèt tankou kapasite pòtay ak sou-rezistans nan yon MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) se endikatè enpòtan pou evalye pèfòmans li yo. Sa ki anba la a se yon eksplikasyon detaye sou paramèt sa yo:
I. Gate kapasite
Kapasite pòtay sitou gen ladan kapasite opinyon (Ciss), kapasite pwodiksyon (Coss) ak kapasite transfè ranvèse (Crss, konnen tou kòm kapasite Miller).
Antre kapasite (Ciss):
DEFINISYON: Kapasite nan opinyon se kapasite total ant pòtay la ak sous la ak drenaj, epi li konsiste de kapasite sous pòtay la (Cgs) ak kapasite nan drenaj pòtay (Cgd) ki konekte nan paralèl, sa vle di Ciss = Cgs + Cgd.
Fonksyon: kapasite nan opinyon afekte vitès la chanje nan MOSFET la. Lè kapasite nan opinyon chaje nan yon vòltaj papòt, aparèy la ka vire sou; egzeyate nan yon sèten valè, aparèy la ka etenn. Se poutèt sa, kous la kondwi ak Ciss gen yon enpak dirèk sou delè vire-sou ak fèmen aparèy la.
Kapasite pwodiksyon (Coss):
Definisyon: Kapasite pwodiksyon an se kapasite total ant drenaj la ak sous la, epi li konsiste de kapasite drenaj-sous (Cds) ak kapasite pòtay-drenaj (Cgd) an paralèl, sa vle di Coss = Cds + Cgd.
Wòl: Nan aplikasyon pou chanje mou, Coss trè enpòtan paske li ka lakòz sonorite nan kous la.
Kapasite transmisyon ranvèse (Crss):
Definisyon: Kapasite transfè ranvèse a ekivalan a kapasite drenaj pòtay la (Cgd) epi li souvan refere yo kòm kapasite Miller.
Wòl: Kapasite transfè ranvèse a se yon paramèt enpòtan pou tan yo monte ak tonbe nan switch la, epi li afekte tou tan an reta vire-off. Valè kapasite a diminye kòm vòltaj drenaj-sous la ogmante.
II. On-rezistans (Rds(on))
Definisyon: On-rezistans se rezistans ki genyen ant sous la ak drenaj yon MOSFET nan eta sou-a nan kondisyon espesifik (egzanp, aktyèl flit espesifik, vòltaj pòtay, ak tanperati).
Faktè enfliyanse: On-rezistans se pa yon valè fiks, li afekte pa tanperati, pi wo tanperati a, pi gwo a Rds(on). Anplis de sa, pi wo vòltaj la kenbe tèt ak, pi epè estrikti a entèn nan MOSFET la, pi wo a korespondan sou-rezistans.
Enpòtans: Lè w ap desine yon ekipman pou chanje pouvwa oswa sikwi chofè, li nesesè pou konsidere rezistans MOSFET la, paske aktyèl la ap koule tankou dlo nan MOSFET la pral konsome enèji sou rezistans sa a, epi pati sa a nan enèji konsome yo rele sou-. pèt rezistans. Chwazi yon MOSFET ak rezistans ki ba ka diminye pèt rezistans.
Twazyèmman, lòt paramèt enpòtan
Anplis de kapasite pòtay la ak sou-rezistans, MOSFET la gen kèk lòt paramèt enpòtan tankou:
V(BR)DSS (Drenaj Sous Pann Voltaj):Sous drenaj vòltaj la nan ki kouran an ap koule tankou dlo nan drenaj la rive nan yon valè espesifik nan yon tanperati espesifik ak sous la pòtay kout kout. Pi wo pase valè sa a, tib la ka domaje.
VGS(th) (Vòltaj Papòt):Vòltaj pòtay la oblije lakòz yon kanal kondiktè kòmanse fòme ant sous la ak drenaj. Pou MOSFET estanda N-chanèl, VT se apeprè 3 a 6V.
ID (Maksimòm Kouran Drenaj Kontinyèl):Maksimòm aktyèl DC kontinyèl ki ka pèmèt chip la nan tanperati maksimòm junction rated.
IDM (Maksimòm Pulsasyon Kouran drenaj):Reflete nivo aktyèl enpulsyonèl ke aparèy la ka okipe, ak aktyèl enpulsyonèl ki pi wo pase aktyèl DC kontinyèl.
PD (maksimòm dissipation pouvwa):aparèy la ka gaye maksimòm konsomasyon pouvwa a.
An rezime, kapasite pòtay la, sou-rezistans ak lòt paramèt nan yon MOSFET yo kritik nan pèfòmans li yo ak aplikasyon, epi yo bezwen yo dwe chwazi ak fèt dapre senaryo aplikasyon espesifik ak kondisyon.
Tan pòs: 18-Sep 2024
