Lè w ap desine yon ekipman pou pouvwa switching oswa sikwi kondwi motè lè l sèvi avèkMOSFET yo, faktè tankou sou-rezistans, vòltaj maksimòm, ak aktyèl maksimòm MOS yo jeneralman konsidere.
Tib MOSFET yo se yon kalite FET ki ka fabrike kòm swa kalite amelyorasyon oswa rediksyon, P-chanèl oswa N-chanèl pou yon total de 4 kalite. amelyorasyon NMOSFET yo ak amelyorasyon PMOSFET yo jeneralman itilize, ak de sa yo anjeneral mansyone.
De sa yo pi souvan itilize se NMOS. rezon ki fè la se ke rezistans nan kondiktif se ti ak fasil fabrike. Se poutèt sa, NMOS anjeneral yo itilize nan chanje ekipman pou pouvwa ak aplikasyon pou kondwi motè.
Anndan MOSFET la, yo mete yon tiristor ant drenaj la ak sous la, ki trè enpòtan nan kondwi charj endiktif tankou motè, epi li se sèlman prezan nan yon MOSFET sèl, pa anjeneral nan yon chip sikwi entegre.
Kapasite parazit egziste ant twa broch MOSFET la, se pa ke nou bezwen li, men akòz limit nan pwosesis fabrikasyon an. Prezans nan kapasite parazit fè li pi ankonbran lè konsepsyon oswa chwazi yon sikwi chofè, men li pa ka evite.
Paramèt prensipal yo nanMOSFET
1, louvri vòltaj VT
Louvri vòltaj (ke yo rele tou vòltaj papòt la): se konsa ke vòltaj la pòtay oblije kòmanse fòme yon kanal konduktif ant sous la S ak drenaj D; estanda N-chanèl MOSFET, VT se sou 3 ~ 6V; atravè amelyorasyon pwosesis, valè MOSFET VT ka redwi a 2 ~ 3V.
2, DC D' rezistans RGS
Rapò vòltaj la te ajoute ant poto sous pòtay la ak aktyèl la pòtay Karakteristik sa a pafwa eksprime pa aktyèl la pòtay ap koule tankou dlo nan pòtay lavil la, RGS MOSFET a ka fasilman depase 1010Ω.
3. Drenaj sous pann vòltaj BVDS.
Anba kondisyon VGS = 0 (améliorée), nan pwosesis pou ogmante vòltaj drenaj-sous la, ID ogmante sevè lè VDS la rele vòltaj pann drenaj-sous BVDS, ID ogmante sevè akòz de rezon: (1) lavalas. pann nan kouch nan appauvrissement tou pre drenaj la, (2) pann pénétration ant drenaj la ak poto sous, kèk MOSFETs, ki gen yon longè tranche ki pi kout, ogmante VDS la pou ke kouch drenaj la nan rejyon an drenaj elaji nan rejyon sous la, fè longè a Chèn se zewo, se sa ki, yo pwodwi yon pénétration drenaj-sous, pénétration, pi fò nan transpòtè yo nan rejyon an sous yo pral dirèkteman atire pa jaden an elektrik nan kouch nan rediksyon nan rejyon an drenaj, sa ki lakòz yon gwo ID. .
4, pòtay sous pann vòltaj BVGS
Lè vòltaj pòtay la ogmante, VGS la lè IG la ogmante soti nan zewo yo rele pòtay sous la pann vòltaj BVGS.
5、Ba frekans transkonduktans
Lè VDS se yon valè fiks, rapò mikwovaryasyon aktyèl drenaj la ak mikwo-varyasyon vòltaj sous pòtay ki lakòz chanjman an rele transkonductans, ki reflete kapasite vòltaj sous pòtay la pou kontwole kouran drenaj la, epi li se yon paramèt enpòtan ki karakterize kapasite anplifikasyon nanMOSFET.
6, sou-rezistans RON
Sou-rezistans RON montre efè VDS sou ID, se envès pant liy tanjant karakteristik drenaj yo nan yon sèten pwen, nan rejyon saturation, ID prèske pa chanje ak VDS, RON se yon gwo anpil. valè, jeneralman nan dè dizèn de kilo-Ohms a dè santèn de kilo-Ohms, paske nan sikui dijital, MOSFET yo souvan travay nan eta a nan VDS la kondiktif = 0, kidonk nan pwen sa a, RON a sou-rezistans ka apwoksimatif pa la orijin RON a apwoksimatif, pou MOSFET jeneral, valè RON nan kèk santèn ohm.
7, kapasite entè-polè
Kapasite entèpolè egziste ant twa elektwòd yo: kapasite sous pòtay CGS, kapasite drenaj pòtay CGD ak kapasite sous drenaj CDS-CGS ak CGD se sou 1 ~ 3pF, CDS se sou 0.1 ~ 1pF.
8、Faktè bri frekans ki ba
Bri ki te koze pa iregilarite nan mouvman transpòtè nan tiyo a. Akòz prezans li, vòltaj iregilye oswa varyasyon aktyèl yo rive nan pwodiksyon an menm si pa gen okenn siyal delivre pa anplifikatè a. Pèfòmans bri anjeneral eksprime an tèm de faktè bri NF. Inite a se desibèl (dB). Pi piti valè a, mwens bri tib la pwodui. Faktè bri frekans ki ba a se faktè bri ki mezire nan seri frekans ki ba a. Faktè bri yon tib efè jaden se sou kèk dB, mwens pase sa yo ki nan yon triyod bipolè.
Lè poste: Apr-24-2024
