Ti aktyèl MOSFET kenbe chan de kous Fabrication aplikasyon

Yon sikwi kenbe MOSFET ki gen ladan rezistans R1-R6, kondansateur elektwolitik C1-C3, kondansateur C4, triyod PNP VD1, dyod D1-D2, relè entèmedyè K1, yon konparatè vòltaj, yon baz doub entegre chip NE556, ak yon MOSFET Q1, ak PIN No 6 nan baz la doub tan entegre chip NE556 k ap sèvi kòm yon opinyon siyal, ak yon bout nan Rezistans R1 ke yo te konekte an menm tan an nan PIN 6 nan doub-tan baz entegre chip NE556 la itilize kòm opinyon siyal la, se yon bout nan rezistans R1 ki konekte ak PIN 14 nan doub-tan baz entegre chip NE556 la, yon bout nan. rezistans R2, yon bout nan rezistans R4, emetè a nan tranzistò PNP VD1 a, drenaj la nan MOSFET Q1 a, ak ekipman pou pouvwa DC a, ak lòt bout la nan Rezistans R1 konekte ak zepeng 1 nan doub-tan baz entegre chip NE556, PIN 2 nan doub-tan baz entegre chip NE556, pozitif kapasite elektwolitik nan kondansateur C1, ak relè a entèmedyè. K1 nòmalman fèmen kontak K1-1, lòt bout la nan relè a entèmedyè K1 nòmalman fèmen kontak K1-1, poto negatif nan kondansateur elektwolitik C1 ak yon bout nan kondansateur C3 yo konekte ak tè a ekipman pou pouvwa, lòt fen nan kondansateur C3. se konekte ak PIN 3 nan doub tan baz entegre chip NE556 la, PIN 4 nan doub tan baz entegre chip NE556 la konekte ak poto a pozitif nan kondansateur elektwolitik C2 ak lòt fen nan rezistans R2 an menm tan an, ak poto a negatif nan kondansateur elektwolitik C2 konekte ak tè a ekipman pou pouvwa, ak poto a negatif nan kondansateur elektwolitik C2 konekte ak tè a ekipman pou pouvwa. Se poto negatif C2 ki konekte ak tè ekipman pou pouvwa a, peny 5 nan doub tan baz entegre chip NE556 la konekte ak yon bout nan rezistans R3, lòt bout nan rezistans R3 konekte ak opinyon faz pozitif nan konparatè vòltaj la. , se opinyon faz negatif nan konparatè vòltaj la ki konekte ak poto pozitif nan dyod D1 a ak lòt bout nan rezistans R4 an menm tan an, se poto negatif nan dyod D1 a konekte. nan tè a ekipman pou pouvwa, ak pwodiksyon an nan konparatè vòltaj la konekte nan fen rezistans R5, lòt bout la nan rezistans R5 konekte ak triplex la PNP. Pwodiksyon konparatè vòltaj la konekte ak yon bout rezistans R5, lòt bout rezistans R5 konekte ak baz tranzistò PNP VD1, pèseptè tranzistò PNP VD1 konekte ak poto pozitif Dyòd la. D2, poto negatif dyòd D2 a konekte nan fen rezistans R6, nan fen kondansateur C4, ak pòtay MOSFET la menm. tan, lòt bout nan rezistans R6 a, lòt fen nan kondansateur C4 a, ak lòt fen nan relè a entèmedyè K1 yo tout konekte nan tè a ekipman pou pouvwa ak lòt fen a nan relè a entèmedyè K1 se konekte ak sous la nan. sous la nanMOSFET.

MOSFET retansyon sikwi, lè A bay yon siyal deklanche ki ba, nan moman sa a doub tan baz entegre chip NE556 mete, doub tan baz entegre chip NE556 PIN 5 pwodiksyon wo nivo, wo nivo nan opinyon an faz pozitif nan konparatè vòltaj la, negatif la faz D' comparateur vòltaj la pa résistance R4 ak Dyòd D1 pou bay yon referans vòltaj, nan moman sa a, vòltaj comparateur sortie wo nivo, wo nivo pou fè a. Triode VD1 kondwi, aktyèl la ap koule tankou dlo nan pèseptè a nan triyod VD1 chaj kondansateur C4 nan dyod D2, ak an menm tan an, MOSFET Q1 fè, nan moman sa a, bobin an nan relè a entèmedyè K1 absòbe, ak relè a entèmedyè K1 nòmalman. kontak fèmen K 1-1 dekonekte, epi apre relè a entèmedyè K1 nòmalman fèmen kontak K 1-1 se dekonekte, ekipman pou pouvwa DC a nan 1 ak 2 pye yo nan doub-tan baz entegre chip NE556 la bay vòltaj la ekipman pou estoke jiskaske vòltaj la sou PIN 1 ak PIN 2 nan doub-tan baz entegre chip NE556 la chaje a 2/ 3 nan vòltaj ekipman pou, doub-tan baz entegre chip NE556 la otomatikman reset, ak PIN 5 nan doub-tan baz entegre chip la. NE556 otomatikman retabli nan yon nivo ki ba, ak sikui ki vin apre yo pa travay, pandan y ap nan moman sa a, kondansateur C4 la egzeyate pou kenbe kondiksyon MOSFET Q1 la jouk nan fen kapasite C4 dechaj la ak relè entèmedyè K1 bobin lage, entèmedyè. relè K1 nòmalman fèmen kontak K 11 fèmen, nan moman sa a atravè fèmen relè entèmedyè K1 nòmalman fèmen kontak K 1-1 pral doub tan baz entegre chip NE556 1 pye ak 2 pye nan lage vòltaj la koupe, pou pwochen fwa a doub tan baz entegre chip NE556 PIN 6 bay yon siyal deklanche ki ba fè doub tan baz entegre chip NE556 mete yo prepare.

Estrikti sikwi aplikasyon sa a senp ak roman, lè doub tan baz entegre chip NE556 PIN 1 ak PIN 2 chaje a 2/3 nan vòltaj ekipman pou, doub tan baz entegre chip NE556 ka otomatikman reset, doub tan baz entegre chip. NE556 PIN 5 otomatikman retounen nan yon nivo ki ba, se konsa ke sikwi ki vin apre yo pa travay, konsa tankou otomatikman sispann chaje kondansateur C4, epi apre yo fin sispann chaje a. nan kondansateur C4 a kenbe pa MOSFET Q1 kondiktè a, aplikasyon sa a ka kontinyèlman kenbeMOSFETQ1 kondiktif pou 3 segonn.

Li gen ladann rezistans R1-R6, kondansateur elektwolitik C1-C3, kondansateur C4, tranzistò PNP VD1, dyod D1-D2, relè entèmedyè K1, konparatè vòltaj, doub tan baz entegre chip NE556 ak MOSFET Q1, PIN 6 nan baz la doub tan entegre. chip NE556 yo itilize kòm yon opinyon siyal, epi yon bout nan rezistans R1 la konekte ak PIN 14 nan. Doub tan baz entegre chip NE556, rezistans R2, PIN 14 nan doub tan baz entegre chip NE556 ak PIN 14 nan doub tan baz entegre chip NE556, ak rezistans R2 konekte ak PIN 14 nan doub tan baz entegre chip NE556 la. PIN 14 nan doub-tan baz entegre chip NE556, yon bout nan rezistans R2, yon fen nan rezistans R4, tranzistò PNP

Ki kalite prensip k ap travay?

Lè A bay yon siyal deklanche ki ba, Lè sa a, doub-tan baz entegre chip NE556 mete, doub-tan baz entegre chip NE556 PIN 5 pwodiksyon wo nivo, wo nivo nan opinyon an faz pozitif nan konparatè a vòltaj, faz nan faz negatif opinyon nan la. konparezon vòltaj pa rezistans a R4 ak Dyòd D1 a bay vòltaj la referans, tan sa a, pwodiksyon an konparezon vòltaj wo nivo, wo nivo a tranzistò VD1 kondiksyon, aktyèl la. koule soti nan pèseptè a nan tranzistò a VD1 nan dyod la D2 nan kondansateur a C4 chaje, nan moman sa a, entèmedyè relè a K1 bobin aspirasyon, relè a entèmedyè K1 bobin aspirasyon. Aktyèl k ap koule soti nan pèseptè tranzistò VD1 chaje nan kondansateur C4 atravè dyod D2, epi an menm tan an,MOSFETQ1 fè, nan moman sa a, bobin nan relè entèmedyè K1 aspirasyon, ak relè entèmedyè K1 nòmalman-fèmen kontak K 1-1 dekonekte, epi apre relè entèmedyè K1 nòmalman-fèmen kontak K 1-1 dekonekte, pouvwa a. vòltaj ekipman pou sous pouvwa DC a bay 1 ak 2 pye yo nan doub timebase entegre chip NE556 la estoke jouk lè vòltaj la. sou zepeng 1 ak zepeng 2 nan doub-tan baz entegre chip NE556 la chaje a 2/3 nan vòltaj la ekipman pou, doub-tan baz entegre chip NE556 la otomatikman reset, ak PIN 5 nan doub-tan baz entegre chip NE556 la. se otomatikman retabli nan yon nivo ki ba, ak sikui ki vin apre yo pa travay, ak nan moman sa a, kondansateur C4 la egzeyate pou kenbe MOSFET la. Q1 kondiksyon jouk nan fen egzeyat la nan kondansateur C4 la, ak bobin nan relè entèmedyè K1 lage, ak relè a entèmedyè K1 nòmalman fèmen kontak K 1-1 dekonekte. Relè K1 nòmalman fèmen kontak K 1-1 fèmen, fwa sa a nan fèmen relè entèmedyè K1 nòmalman fèmen kontak K 1-1 yo pral doub-tan baz entegre chip NE556 1 pye ak 2 pye sou lage vòltaj la, pou pwochen fwa a Doub-tan baz entegre chip NE556 PIN 6 bay yon siyal deklanche pou mete ba, konsa tankou fè preparasyon pou doub-tan baz entegre chip la. NE556 mete.