Ki kat rejyon yo nan yon MOSFET?

Kat rejyon yo nan yon MOSFET amelyorasyon N-chanèl

(1) Rejyon rezistans varyab (yo rele tou rejyon enstore)

Ucs" Ucs (th) (vire-sou vòltaj), uDs" UGs-Ucs (th), se rejyon ki sou bò gòch tras la preclamped nan figi a kote kanal la vire sou. Valè UD yo piti nan rejyon sa a, epi rezistans kanal la fondamantalman kontwole sèlman pa UG. Lè uGs se sèten, ip ak uDs nan yon relasyon lineyè, rejyon an apwoksimatif kòm yon seri liy dwat. Nan moman sa a, tib la efè jaden D, S ant ekivalan a nan yon UGS vòltaj

Kontwole pa vòltaj la UGS rezistans varyab.

(2) rejyon konstan aktyèl (li rele tou rejyon saturation, rejyon anplifikasyon, rejyon aktif)

Ucs ≥ Ucs (h) ak Ubs ≥ UcsUssth), pou figi a nan bò dwat la nan pre-pench nan tras la, men pa ankò kraze nan rejyon an, nan rejyon an, lè uGs yo dwe, ib prèske pa fè sa. chanjman ak UD yo, se yon karakteristik konstan-aktyèl. i se kontwole sèlman pa UGs yo, Lè sa a, MOSFETD a, S ki ekivalan a yon kontwòl vòltaj uGs nan sous aktyèl la. MOSFET ki itilize nan sikui anplifikasyon, jeneralman sou travay MOSFET D a, S ekivalan a yon vòltaj uGs kontwòl sous kouran. MOSFET yo itilize nan sikui anplifikasyon, jeneralman travay nan rejyon an, kidonk ke yo rele tou zòn anplifikasyon.

(3) Zòn koupe (yo rele tou zòn koupe)

Zòn Clip-off (li rele tou zòn koupe) pou rankontre ucs "Ues (th) pou figi a toupre aks orizontal rejyon an, kanal la tout sere koupe, ke yo rekonèt kòm clip konplè koupe, io = 0 , tib la pa travay.

(4) kote zòn pann yo

Rejyon pann nan sitiye nan rejyon an sou bò dwat figi a. Avèk UD yo ogmante, junction PN a sibi twòp vòltaj ranvèse ak pann, ip ogmante sevè. Tib la ta dwe opere pou evite opere nan rejyon an pann. Koub karakteristik transfè a ka sòti nan koub karakteristik pwodiksyon an. Sou metòd yo itilize kòm yon graf pou jwenn. Pou egzanp, nan Figi 3 (a) pou Ubs = 6V liy vètikal, entèseksyon li yo ak koub yo divès kalite ki koresponn ak i, Us valè yo nan kowòdone yo ib-Uss ki konekte nan koub la, se sa ki, yo jwenn koub la karakteristik transfè.

Paramèt nanMOSFET

Gen anpil paramèt nan MOSFET, ki gen ladan paramèt DC, paramèt AC ak paramèt limit, men se sèlman paramèt prensipal sa yo bezwen konsène nan itilizasyon komen: satire drenaj-sous aktyèl IDSS zongle-off vòltaj Up, (tib junction-kalite ak appauvrissement -type izole-gate tib, oswa vire-sou vòltaj UT (ranfòse izole-gate tib), trans-konduktyans gm, flit-sous BUDS vòltaj pann, PDSM maksimòm pouvwa gaye, ak maksimòm drenaj-sous aktyèl IDSM.

(1) Kouran drenaj satire

Kouran drenaj satire IDSS la se aktyèl drenaj nan yon MOSFET pòtay izole junction oswa rediksyon lè vòltaj pòtay UGS = 0.

(2) Clip-off vòltaj

Vòltaj la zongle-off UP se vòltaj la pòtay nan yon junction-type oswa appauvrissement-kalite izole-gate MOSFET ki jis koupe ant drenaj la ak sous. Jan yo montre nan 4-25 pou tib N-chanèl UGS yon koub ID, ka konprann yo wè siyifikasyon IDSS ak UP

MOSFET kat rejyon yo

(3) Vire-sou vòltaj

Vire-sou vòltaj UT a se vòltaj pòtay la nan yon MOSFET ranfòse izole-gate ki fè entè-drenaj-sous la jis kondiktif.

(4) Transkonduktans

Transconductance gm a se kontwòl kapasite sous pòtay vòltaj UGS sou drenaj aktyèl idantite a, sa vle di, rapò a chanjman nan drenaj aktyèl idantite a ak chanjman nan pòtay sous vòltaj UGS la. 9m se yon paramèt enpòtan ki peze kapasite anplifikasyon nanMOSFET.

(5) Drenaj sous vòltaj pann

Drenaj sous pann vòltaj BUDS refere a vòltaj la sous pòtay UGS sèten, MOSFET operasyon nòmal ka aksepte vòltaj la sous drenaj maksimòm. Sa a se yon paramèt limit, ajoute nan vòltaj la opere MOSFET dwe mwens pase BUDS.

(6) Dissipation maksimòm pouvwa

Dissipation maksimòm pouvwa PDSM se tou yon paramèt limit, refere aMOSFETpèfòmans pa deteryore lè maksimòm akseptab flit sous pouvwa dissipation. Lè w ap itilize MOSFET pratik konsomasyon pouvwa a ta dwe mwens pase PDSM a epi kite yon maj sèten.

(7) Maksimòm Kouran Drenaj

Maksimòm flit aktyèl IDSM se yon lòt paramèt limit, refere a operasyon an nòmal nan MOSFET la, sous la flit nan aktyèl la maksimòm pèmèt yo pase nan aktyèl opere MOSFET a pa ta dwe depase IDSM la.

Prensip Fonksyònman MOSFET

Prensip fonksyònman MOSFET (N-chanèl amelyorasyon MOSFET) se sèvi ak VGS pou kontwole kantite "chaj endiktif", yo nan lòd yo chanje kondisyon an nan kanal la kondiktif ki te fòme pa sa yo "chaj endiktif", ak Lè sa a, reyalize objektif la. nan kontwole kouran drenaj la. Objektif la se kontwole kouran drenaj la. Nan fabrike tib, atravè pwosesis pou fè yon gwo kantite iyon pozitif nan kouch nan posibilite, se konsa nan lòt bò a nan koòdone a ka pwovoke chaj plis negatif, chaj negatif sa yo ka pwovoke.

Lè vòltaj pòtay la chanje, kantite chaj ki pwovoke nan kanal la tou chanje, lajè kanal la kondiktif tou chanje, e konsa idantite aktyèl la drenaj chanje ak vòltaj pòtay la.

Wòl MOSFET

I. MOSFET ka aplike pou anplifikasyon. Akòz gwo enpedans D 'nan anplifikatè MOSFET a, kondansateur kouple a ka pi piti kapasite, san yo pa itilize kondansateur elektwolitik.

Dezyèmman, gwo enpedans MOSFET a se trè apwopriye pou konvèsyon enpedans. Souvan yo itilize nan etap opinyon anplifikatè milti-etap pou konvèsyon enpedans.

MOSFET ka itilize kòm yon rezistans varyab.

Katriyèmman, MOSFET ka fasil pou itilize kòm yon sous aktyèl konstan.

Senkyèm, MOSFET ka itilize kòm yon switch elektwonik.