Prensip travay nan N-chanèl amelyorasyon mòd MOSFET

(1) Efè kontwòl vGS sou ID ak chanèl

① Ka vGS=0

Li ka wè ke gen de back-to-back PN junctions ant drenaj la ak sous s nan mòd nan amelyorasyon.MOSFET.

Lè vòltaj pòtay-sous vGS = 0, menm si vDS vòltaj drenaj-sous la te ajoute, ak kèlkeswa polarite vDS, toujou gen yon junction PN nan eta a patipri ranvèse. Pa gen okenn kanal konduktif ant drenaj la ak sous la, kidonk drenaj aktyèl la ID≈0 nan moman sa a.

② Ka vGS>0

Si vGS> 0, se yon jaden elektrik ki pwodui nan kouch izolasyon SiO2 ant pòtay la ak substra a. Direksyon jaden elektrik la pèpandikilè ak jaden elektrik ki dirije soti nan pòtay la nan substra a sou sifas semi-conducteurs la. Jaden elektrik sa a repouse twou ak atire elektwon. Repouse twou: twou yo nan substra P-tip tou pre pòtay la repouse, kite iyon akseptè immobilier (ion negatif) yo fòme yon kouch appauvrissement. Atire elektwon: Elektwon yo (transpòtè minorite) nan substra P-kalite yo atire sifas substra a.

(2) Fòmasyon kanal kondiktif:

Lè valè vGS la piti epi kapasite pou atire elektwon yo pa fò, toujou pa gen okenn kanal konduktif ant drenaj la ak sous la. Kòm vGS ogmante, plis elektwon yo atire nan kouch sifas substra P la. Lè vGS rive nan yon sèten valè, elektwon sa yo fòme yon kouch mens N-kalite sou sifas substra a P tou pre pòtay la epi yo konekte ak de rejyon yo N +, fòme yon kanal konduktif N-kalite ant drenaj la ak sous. Kalite konduktivite li yo opoze ak sa ki nan substra P a, kidonk li rele tou yon kouch envèrsyon. VGS la pi gwo se, pi fò jaden elektrik la aji sou sifas semi-conducteurs la se, plis elektwon yo atire nan sifas la nan substra P a, pi epè kanal la konduktif se, ak pi piti a rezistans nan kanal se. Voltaj pòtay-sous la lè kanal la kòmanse fòme yo rele vòltaj la vire, reprezante pa VT.